公开(公告)号：CN103702938A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280035894.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

IPC: C01B33/035

CPC classification number: H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。

公开(公告)号：CN102498064B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201080041462.8

申请日：2010-07-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  冈田淳一 ,  久米史高

IPC: C01B33/02

CPC classification number: C01B33/035 ,  C01B33/037

Abstract: 本发明提供导致单晶硅的质量降低的重金属杂质铬、铁、镍、铜、钴的总含量低的洁净的高纯度多晶硅块。在利用西门子法得到的多晶硅棒的电极侧端附近，铬、铁、镍、铜、钴的总浓度高。因此，在多晶硅棒(100)的破碎工序之前，设置将取出到反应炉外的多晶硅棒(100)的距电极侧端至少70mm以内的多晶硅部分除去的截切工序。由此，能够将块体中铬、铁、镍、铜、钴的总浓度为150ppta以上的多晶硅部分除去。为了得到杂质浓度更低的多晶硅块，只要将距电极侧端至少155mm以内的多晶硅部分除去即可。

公开(公告)号：CN103547713A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280025081.X

申请日：2012-04-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  冈田淳一 ,  祢津茂义

IPC: C30B29/06 ,  C01B33/02

CPC classification number: C30B13/00 ,  C01B33/035 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  G01N23/207

Abstract: 采集以与通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到的多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对采集的全部板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择 、 、 及 中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为无取向性的多晶硅棒，将其作为单晶硅制造用原料使用。使用这样的多晶硅原料时，能够抑制在局部发生部分熔融残留，有助于单晶硅的稳定的制造。

公开(公告)号：CN103517873A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022814.4

申请日：2012-04-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑泽靖志

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035

Abstract: 在芯线支架(20)中形成有在主体的上表面具有开口部(22)且朝向下表面侧的芯线插入孔(21)，在该芯线插入孔(21)中插入硅芯线(5)。另外，形成有沿包含上述芯线插入孔(21)的中心轴(C)的假想平面(P)的狭缝状的间隙部(60)，该狭缝状的间隙部(60)成为从芯线插入孔(21)延伸到支架(20)主体的外侧面的间隙部。插入在该芯线插入孔(21)中的硅芯线(5)利用例如螺栓/螺母方式的固定构件(31)从侧面将支架(20)的主体的上部紧固，由此，以使间隙部(60)的间隔变窄的方式进行紧固并固定。

公开(公告)号：CN102971624A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033481.0

申请日：2011-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  久米史高 ,  冈田淳一

IPC: G01N29/12

CPC classification number: H01L22/12 ,  C01B33/035 ,  G01M7/08 ,  G01N29/045 ,  G01N29/12 ,  G01N29/4418 ,  G01N29/4454 ,  G01N29/46 ,  G01N2291/0234 ,  G01N2291/2626 ,  G01N2291/2697 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过简便地挑选较硬的多晶硅棒，提供不易破裂的高品质的多晶硅棒。用卷尺测定多晶硅棒(100)的长度，接着，用锤(120)进行多晶硅棒(100)的敲击，将该敲击音通过传声器(130)收录到录音器(140)中。然后，对敲击音的音响信号进行快速傅立叶变换，显示频率分布。进而，在快速傅立叶变换后的频率分布中，检测出显示最大音量的峰值频率f。求出多晶硅棒的长度(L)与峰值频率f的关系，通过峰值频率f是否属于f≥1471/L的区域(A区域)来判断多晶硅棒的硬度。

公开(公告)号：CN101565185B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200910132968.9

申请日：2009-04-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 水野亨彦 ,  黑谷伸一 ,  祢津茂义 ,  小黑晓二

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B33/03 ,  C01B33/035

Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为 的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。

公开(公告)号：CN102666380A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080049198.2

申请日：2010-10-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑谷伸一 ,  小黑晓二 ,  久米史高 ,  平原胜

IPC: C01B33/035 ,  H01L21/203

CPC classification number: C23C16/458 ,  C01B32/225 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极(30)的上部电极(31)的上表面侧设有保持硅芯线(5a)的芯线固定器(20)的固定部。上部电极(31)上设有从上表面(33)向下表面(34)贯穿的孔部(贯通孔)(35)，作为棒状连结部件的螺栓(36)经由垫圈(37)从上部电极(31)上表面(33)插入该孔部(35)，在下部电极(32)被螺纹固定。孔部(35)内与螺栓(36)的直杆部之间的间隙(51)，使上部电极(31)可以在与下部电极(32)的上表面的接触面即载置面(图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面)的面内全方位移动，从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。