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公开(公告)号：CN106788316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H9/08 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/19 , H03H2003/027 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106772752A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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公开(公告)号：CN103675365B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210330880.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06727 , G01R3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从底面刻蚀衬底硅以释放悬臂梁以完成制备。本发明具有加工精度高、加工工艺简单、制作的测试探卡的机械强度高、各探针可依据待测芯片管脚位置的分布进行排列等优点。本发明的制作工艺与传统的CMOS工艺及微机加工工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104724662B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310705594.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。
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公开(公告)号：CN101311105B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810033916.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101062761B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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公开(公告)号：CN1743261A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN114371551B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011096018.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述驱动电极层设置在所述第一表面；所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔；所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上；所述支撑梁的第一端穿过所述通孔与所述固定层连接，所述支撑梁与所述通孔之间存在第一预设间隙；所述固定层设置在所述第二表面；所述驱动电极层中设有第一驱动电极、第二驱动电极和屏蔽电极；所述微镜设置在所述支撑梁的第二端上，所述微镜与所述第一绝缘层之间存在第二预设间隙。本申请实施例所述的微镜结构可以在减小单元尺寸的同时保证微镜的面内横向位移可与入射光波长相比拟。
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公开(公告)号：CN111721456A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
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