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公开(公告)号：CN119448971A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510043108.7
申请日：2025-01-10
Applicant: 深圳新声半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种体声波谐振器、滤波器及其制作方法，所述体声波谐振器包括具有第一谐振腔的体声波谐振器载体、第一电极层、压电层、第二电极层，以及具有第二谐振腔和散热层的体声波谐振器盖体；散热层具有至少一个凸起；第二电极层覆盖压电层的第一表面的第一区域，第一区域为压电层靠近体声波谐振器盖体一侧的表面；第一电极层覆盖压电层的第二表面的第二区域，第二区域为压电层靠近体声波谐振器载体一侧的表面；第二区域在体声波谐振器载体上的正投影与第一区域在体声波谐振器载体上的正投影至少存在部分交叠。本申请通过在恰当位置设置具有特殊结构的散热层，能够增加散热面积，提高散热效率，解决体声波谐振器散热效果差及性能差等问题。
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公开(公告)号：CN118921032A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411353894.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 合肥矽迈微电子科技有限公司
Inventor： 谭小春
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构、器件及其封装工艺，包括以下步骤：谐振器封装步骤：提供一基板，基板上均匀倒置有多个陶瓷的谐振器，谐振器的底面暴露，在暴露的底面电极垫位置贴装导电块，塑封谐振器，并在封装面水平研磨至暴露出导电块顶面；热敏电阻封装步骤：在研磨后的封装面每个谐振器的对应位置贴装热敏电阻，热敏电阻通过电镀的电路与导电块电性连接，从而实现与谐振器的电性连接；控制芯片封装步骤：在封装面相应位置贴装控制芯片，控制芯片一方面通过电镀的立柱直接与谐振器的导电块电性连接，另一方面通过互连层与热敏电阻的电路电性连接，本发明将陶瓷的谐振器与塑封体堆叠形成晶振异质堆叠结构。
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公开(公告)号：CN117833855B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410240146.7
申请日：2024-03-04
Applicant: 深圳新声半导体有限公司
Abstract: 本申请公开一种声波装置，包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器，叉指换能器包括中心区域、第一边缘区域、第二边缘区域以及第一间隙区域和第二间隙区域，声波装置还包括覆盖叉指换能器的温度补偿层，以及浮置金属层，浮置金属层埋设在温度补偿层中或设置在温度补偿层的顶部。浮置金属层包括多个浮置金属块，浮置金属块彼此间隔开，并至少与叉指换能器的第一边缘区域和第二边缘区域重叠。
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公开(公告)号：CN118074661B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410466752.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 深圳新声半导体有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开一种SAW滤波器封装结构，包括：衬底，表面设置有第一叉指换能器和第二叉指换能器；聚合物框架，设置在衬底上；盖板，耦合到聚合物框架使得盖板和衬底之间形成空腔；空腔内设置有支撑结构，支撑结构将空腔分隔成第一子空腔和第二子空腔；第一叉指换能器位于第一子空腔内；第二叉指换能器位于第二子空腔内；支撑结构与衬底连接的一面开设有开口；开口将第一子空腔和第二子空腔连通，所述开口为拱洞。该SAW滤波器封装结构内部的热量分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN115459733B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211408694.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 成都世源频控技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体振荡器技术领域，具体涉及一种高稳定性晶体振荡器，包括晶体振荡器本体和加强机构，加强机构包括立柱、定位杆、盖板和锁定组件；立柱靠近晶体振荡器本体安装，定位杆可转动地安装于立柱，定位杆的转动轴心线垂直于立柱设置，且定位杆的转动轴心线垂直于自身的轴心线设置，锁定组件设于晶体振荡器本体远离立柱的一侧，盖板的一端与定位杆可拆卸式连接，盖板远离立柱的一端与锁定组件可拆卸式连接，以用于将盖板抵接于晶体振荡器本体的顶部，其中，盖板由导热材料制成；其能够防止晶体振荡器本体在使用过程中出现松动、脱落的问题，而且结构简单、安装方便，同时能够保障晶体振荡器本体的正常散热，提高了使用稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115037274B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210964607.6
申请日：2022-08-12
Applicant: 常州承芯半导体有限公司
Abstract: 一种声表面波谐振装置及其形成方法，涉及半导体技术领域，其中声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底上的电极结构，电极结构包括第一总线和第二总线，第一总线连接第一电极条，第二总线连接第二电极条，第一电极条包括第一部和第二部，第二电极条包括第三部和第四部，第一总线和第二总线之间具有第一间隔区、交叠区和第二间隔区，第二部和第三部位于交叠区，第一部位于第一间隔区，第四部位于第二间隔区，第二部和第三部分别大于第一部和第四部的材料密度，以此降低交叠区的波速，进而增大交叠区分别与第一间隔区和第二间隔区之间的波速差，减少谐振装置在工作时能量从交叠区向第一间隔区和第二间隔区泄漏，以提升谐振装置的性能。
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公开(公告)号：CN114696778A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210408378.X
申请日：2022-04-19
Applicant: 三安日本科技株式会社
Abstract: 一种积层体与弹性波装置的制造方法，所述积层体包含形成有多个单元功能元件的压电晶圆，与借由导电性材料接合于所述压电晶圆的布线基板，所述布线基板的热膨胀系数与所述压电晶圆中热膨胀系数最大的第1方向的热膨胀系数相同，所述布线基板具有最大热膨胀系数的方向与所述第1方向略平行。借此，可提供一种能提升产量的积层体与弹性波装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN114421918A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210327586.7
申请日：2022-03-31
Applicant: 深圳新声半导体有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明的一种体声波滤波器芯片，包括：体声波滤波器芯片本体、焊盘、散热壳，所述体声波滤波器芯片本体设置在所述散热壳体的底部，所述体声波滤波器芯片本体底部设置所述焊盘。所述体声波滤波器芯片本体通过所述焊盘与其他电路相连，由于所述散热壳对所述体声波滤波器芯片本体的包覆，减小外界杂质对所述体声波滤波器芯片本体的影响，同时更好吸收所述体声波滤波器本体工作时所产生的热量，通过更大的表面积进行散热，提高性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN107911095A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711442569.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 广东大普通信技术有限公司
CPC classification number: H03H9/0538 , H03H9/08 , H03H9/10 , H03H9/19
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，具体公开一种恒温晶体振荡器，包括位于外壳体与基座形成的空腔中的内壳体以及位于所述内壳体中的石英晶体；还包括位于所述空腔中的导热套，所述导热套设有盲槽，所述内壳体插入所述盲槽中，且所述内壳体与所述盲槽的槽壁以及槽底之间均设有间隙。本发明提供的恒温晶体振荡器，通过设置导热套给内壳体进行辐射传热，从而提高晶体周围的温度场的稳定性，提高晶体振荡器的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN106549649A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510591179.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术 , 研究所
Abstract: 本发明提供一种N型重掺杂恒温控制振荡器及其恒温控制方法，包括：谐振结构、锚点、加热梁及温度传感器；谐振结构包括N型重掺杂纵向振动梁及第一电极；N型重掺杂纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；锚点位于谐振结构的两侧；加热梁贯穿N型重掺杂纵向振动梁；温度传感器位于锚点表面。本发明中沿 晶向族的N型重掺杂结构的频率温度系数存在过零点，频率温度系数过零点的温度由掺杂浓度决定；通过调整N型掺杂浓度，可以使 晶向族谐振频率温度系数过零点略高于振荡器工作温区的上限；设置贯穿谐振结构的加热梁，在加热梁上通电流即可实现恒温控制，使得N型重掺杂恒温控制振荡器具有较好的性能稳定性及较好温度特性。
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