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公开(公告)号：CN117579025B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410010633.4
申请日：2024-01-04
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：压电层；位于所述压电层上的两个叉指换能器；位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的；从而提升反射结构的散射程度，使声表面波在反射过程经过多个不同的反射角，产生反相消除，达到进一步降低干扰的效果，提升最终形成半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN116094488A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211637421.6
申请日：2022-12-16
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种滤波装置及其形成方法，滤波器包括：衬底，包括若干第一区、若干第二区和一个或多个第三区；位于第一区的若干第一谐振器，第一谐振器包括第一叉指换能器，第一叉指换能器包括第一金属层；位于第二区的若干第二谐振器，第二谐振器包括第二叉指换能器，第二叉指换能器包括第二金属层和位于第二金属层上的第三金属层；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为所述滤波器梯形电路中的并联谐振器；位于第三区的若干第三叉指换能器，第三叉指换能器包括第四金属层；所述第二滤波器包括若干所述第三叉指换能器。所述滤波器的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115603701B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211620812.7
申请日：2022-12-16
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种声表面波滤波器及其形成方法，滤波器包括：衬底，包括若干第一区和若干第二区；分别位于若干所述第一区的若干第一谐振器，所述第一谐振器包括第一叉指换能器，位于衬底上，所述第一叉指换能器包括第一金属层；分别位于若干第二区的若干第二谐振器，所述第二谐振器包括第二叉指换能器，位于衬底上，所述第二叉指换能器包括第二金属层和位于第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为滤波器梯形电路中的并联谐振器。所述滤波器的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115632623A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211203212.0
申请日：2022-09-29
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一部，包括：提供第一基底；形成压电层，位于第一基底上方；形成第一电极层，位于压电层上；形成空腔预处理层，位于压电层上；形成空腔预处理层包括：形成牺牲层，位于压电层上方，牺牲层的材料为金属材料；形成第二部，包括：提供第二基底；接合第一部与第二部；去除第一基底；形成第二电极层；去除牺牲层形成空腔。通过接合工艺形成体声波谐振装置，避免对牺牲层进行坦化处理，使得牺牲层的材料选择更灵活。通过选用金属材料的牺牲层，在去除牺牲层的过程中金属材料能与释放溶液反应充分，通过控制反应速率可避免空腔上方结构塌陷的问题，也可避免牺牲层释放不净问题，以提升体声波谐振装置的性能。
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公开(公告)号：CN115603701A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211620812.7
申请日：2022-12-16
申请人： 常州承芯半导体有限公司(CN)
摘要： 一种声表面波滤波器及其形成方法，滤波器包括：衬底，包括若干第一区和若干第二区；分别位于若干所述第一区的若干第一谐振器，所述第一谐振器包括第一叉指换能器，位于衬底上，所述第一叉指换能器包括第一金属层；分别位于若干第二区的若干第二谐振器，所述第二谐振器包括第二叉指换能器，位于衬底上，所述第二叉指换能器包括第二金属层和位于第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层材料的密度小于所述第二金属层材料的密度，所述第三金属层材料的密度小于所述第一金属层材料的密度；其中，若干所述第一谐振器为滤波器梯形电路中的串联谐振器，若干所述第二谐振器为滤波器梯形电路中的并联谐振器。所述滤波器的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115580255A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210742814.7
申请日：2022-06-28
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置，其中体声波谐振装置包括：空腔；第一电极层，第一电极层的至少一端位于空腔上方或内部；压电层，空腔及第一电极层位于压电层的第一侧；第二电极层，位于第二侧；第一无源结构，位于第一侧，与第一电极层的至少一个边缘具有第一重合部；第二无源结构，位于第二侧，与第二电极层的至少一个边缘具有第二重合部；第一无源结构包括：第一抬起部，位于谐振区内侧；第一延伸部，位于谐振区外侧，第一抬起部相对第一延伸部凸起；其中，第二无源结构包括：第二抬起部，位于谐振区内侧；第二延伸部，位于谐振区外侧，第二抬起部相对第二延伸部凸起。本发明抑制寄生边缘模态，提升Zp及相应Q值。
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公开(公告)号：CN115085688A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210674194.8
申请日：2022-06-15
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置，其中声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底上的电极结构，电极结构包括第一电极层、以及位于第一电极层上的第二电极层，第一电极层的材料密度范围为11000～20000千克每立方米。通过将第一电极层选用材料密度大于钼的材料密度的材料，在减小第一电极层的厚度同时获取更大的质量，以增加声表面波谐振装置的机电耦合系数同时降低波速，进而使得器件结构的尺寸减小，提升芯片的集成度。而且第一电极层的厚度减小也会使得应力减小，进而减少压电基底出现翘曲或损坏的问题。另外，所述第一电极层的厚度减小，可以相应增加所述第二电极层的厚度，以达到减小电学损耗的目的。
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公开(公告)号：CN114337588B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210189402.5
申请日：2022-03-01
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底内的金属扩散部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、若干第一电极条、若干第二电极条，第一总线与第二电极条之间具有第一间隔，第二总线与第一电极条之间具有第二间隔，第一电极条和第二电极条交替排布；位于电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层。从而，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。
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公开(公告)号：CN117040472A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310996062.1
申请日：2023-08-08
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振装置及其形成方法，其中结构包括：位于基底表面的键合层及第一负载层，第一负载层位于所述键合层内，第一负载层平行于第一方向；位于键合层表面的压电层；位于压电层表面的叉指电极结构，叉指电极结构包括若干第一电极条和若干第二电极条，各第二电极条位于相邻两个第一电极条之间，且与相邻的第一电极条部分重合，第一电极条和第二电极条均平行于第二方向，第二方向平行于基底表面，且与第一方向相互垂直；基底包括重合区，若干第一电极条和若干第二电极条的相互重合的部分位于重合区上，重合区包括沿第二方向排布的端区和中间区，端区位于中间区两侧，第一负载层位于端区上，有效抑制横向波的产生。
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公开(公告)号：CN116633312B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310909391.8
申请日：2023-07-24
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种滤波器及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向排列的第一区和第二区；位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器，沿第一方向排列；位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器，位于衬底第一区一侧；位于衬底第一区上的第一总线层，与第一叉指换能器电连接；位于衬底第二区上的第二总线层，与第二叉指换能器电连接；第一总线层与第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧，第一总线层与第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧。所述滤波器简化了工艺流程。
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