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公开(公告)号：CN106895777B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510954769.1
申请日：2015-12-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。
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公开(公告)号：CN106841396B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510881188.X
申请日：2015-12-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N29/14
摘要： 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106915723A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0015
摘要： 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁-质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN106841396A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510881188.X
申请日：2015-12-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N29/14
CPC分类号： G01N29/14
摘要： 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106915723B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN106803744A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510833446.7
申请日：2015-11-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H03B1/02
摘要： 本发明提供一种微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法，包括：微蒸发台、锚点、支撑梁及金属电极；微蒸发台的一面为蒸发面；锚点位于微蒸发台的两侧，且与微蒸发台相隔一定的间距；支撑梁位于微蒸发台与锚点之间，一端与微蒸发台相连接，另一端与锚点相连接；支撑梁的尺寸满足如下关系式；金属电极位于锚点的第一表面。微蒸发台通过支撑梁与表面形成有金属电极的锚点相连接，通过调整设定支撑梁的尺寸，使得支撑梁的热容量小、散热少的特性，又微蒸发台及支撑梁的尺寸较小，只需在金属电极表面施加很小的功率即可以使得微蒸发台达到所需的蒸发温度，同时由于支撑梁的绝热作用，锚点处的温度升温较小，不会对器件的稳定性造成影响。
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公开(公告)号：CN106788316B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106788316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H03H9/08 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/19 , H03H2003/027 , H03H2003/0407
摘要： 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106895777A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510954769.1
申请日：2015-12-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。
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