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公开(公告)号：CN105353326B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510697466.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底表面形成第一凹槽；2）在第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3）提供键合基底，将半导体基底与键合基底键合；4）在键合后的半导体基底表面形成闪耀光栅结构；5）对半导体基底进行刻蚀以形成扭转闪耀光栅结构；6）对磁性薄膜结构进行磁化处理。本发明直接在传感器芯片制造阶段将闪耀光栅结构和磁性薄膜结构集成在单一芯片上，大大简化了磁场传感器的制作工艺流程；该磁场传感器可以工作在水下、地底、无线传感网节点等电源受限或存在强电磁干扰等场合，具有小型化、高灵敏度、低成本、可批量化制作、使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN106772752A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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公开(公告)号：CN106443065A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610513007.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/03
CPC classification number: G01P15/03
Abstract: 本发明提供一种高精度波长形加速度传感器及其制备方法，包括：1）提供第一半导体基底，在第一半导体基底的表面形成第一凹槽；2）提供第二半导体基底，在第二半导体基底的表面形成闪耀光栅结构；3）将第一半导体基底与第二半导体基底键合以形成键合基底；4）提供第一盖板，将第一盖板与键合基底键合；5）依据第一凹槽及闪耀光栅结构对键合基底进行刻蚀，以形成弹性扭转梁及惯性质量块；6）提供第二盖板，在第二盖板表面形成第二凹槽；7）将第二盖板与步骤5）得到的结构进行键合。本发明将加速度敏感单元与检测单元集成批量化制造，具有体积小、结构简单、成本低、封装简单等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106772752B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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公开(公告)号：CN106443065B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610513007.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明提供一种高精度波长形加速度传感器及其制备方法，包括：1）提供第一半导体基底，在第一半导体基底的表面形成第一凹槽；2）提供第二半导体基底，在第二半导体基底的表面形成闪耀光栅结构；3）将第一半导体基底与第二半导体基底键合以形成键合基底；4）提供第一盖板，将第一盖板与键合基底键合；5）依据第一凹槽及闪耀光栅结构对键合基底进行刻蚀，以形成弹性扭转梁及惯性质量块；6）提供第二盖板，在第二盖板表面形成第二凹槽；7）将第二盖板与步骤5）得到的结构进行键合。本发明将加速度敏感单元与检测单元集成批量化制造，具有体积小、结构简单、成本低、封装简单等特点。
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公开(公告)号：CN105353326A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510697466.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032 , G01R33/0052
Abstract: 本发明提供一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底表面形成第一凹槽；2）在第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3）提供键合基底，将半导体基底与键合基底键合；4）在键合后的半导体基底表面形成闪耀光栅结构；5）对半导体基底进行刻蚀以形成扭转闪耀光栅结构；6）对磁性薄膜结构进行磁化处理。本发明直接在传感器芯片制造阶段将闪耀光栅结构和磁性薄膜结构集成在单一芯片上，大大简化了磁场传感器的制作工艺流程；该磁场传感器可以工作在水下、地底、无线传感网节点等电源受限或存在强电磁干扰等场合，具有小型化、高灵敏度、低成本、可批量化制作、使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN103105592B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310032909.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；以及形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。本发明的三轴磁场传感器具有灵敏度高、尺寸小、功耗低、低成本、封装简单等优点。
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公开(公告)号：CN103105592A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310032909.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；以及形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。本发明的三轴磁场传感器具有灵敏度高、尺寸小、功耗低、低成本、封装简单等优点。
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