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公开(公告)号：CN111986990A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010413378.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。
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公开(公告)号：CN108165954B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN110592558A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN103228343A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201280003786.1
申请日：2012-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守屋刚
CPC classification number: B01D69/12 , B01D67/0041 , B01D67/0074 , B01D71/024 , B01D2325/023 , C04B38/0038 , C04B2111/00413 , C04B2111/00612 , C04B2111/00793 , C04B35/14 , C04B38/007
Abstract: 本发明提供一种能够在确保刚性的同时简便地获得自来水和淡水的过滤用过滤器。过滤用过滤器21具备第1陶瓷层12、第2陶瓷层15以及纳米粒子层14，该纳米粒子层14被第1陶瓷层12和第2陶瓷层15所夹持，第1陶瓷层12和第2陶瓷层15是使以二氧化硅为主成分的多个陶瓷粒子11烧结而生成的，各陶瓷粒子11之间的间隙被调整为50nm～500nm，纳米粒子层14是使粒径为3nm～5nm的多个纳米粒子（13）通过热处理进行相互熔融结合而生成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103209757A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054593.4
申请日：2011-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D67/0023 , B01D61/025 , B01D67/0034 , B01D67/0062 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2323/225 , B01D2323/24 , B01D2323/283 , B01D2325/02 , B01D2325/08 , B01D2325/48 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2的内表面上，调整因氧化硅膜3而缩小的圆孔2的开口部附近的最小直径部4中的直径D1至1nm～100nm。
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公开(公告)号：CN101244945B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200710165026.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。
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公开(公告)号：CN102754192A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008727.9
申请日：2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。
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公开(公告)号：CN102741986A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005916.0
申请日：2011-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4404 , B29C59/14 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/68757 , Y10S156/915
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括：将基板搬入处理容器内并载置于载置台的工序；蚀刻工序，以包围基板的方式配置有环部件的状态下，从与基板对置的气体供给部喷淋状地排出处理气体，并且使处理气体等离子体化，对被蚀刻膜进行蚀刻，其中，所述环部件至少表面部的主成分与被蚀刻膜的主成分为相同材质；和经由排气通道对所述处理容器内抽真空的工序。由此能够抑制基板的周端部附近的等离子体的活性种分布的偏差。
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公开(公告)号：CN102637622A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210123625.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: 一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。
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