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公开(公告)号：CN100594588C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200510087160.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，首先在反应容器的处理区域内通过CVD在被处理基板上堆积氮化硅膜。这里，在第一时间内，向处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将处理区域设定为第一温度及第一压力。然后，在处理区域内氮化氮化硅膜的表面。这里，在比第一时间短的第二时间内，向处理区域内不供给所述第一处理气体，而是供给含有氮化气体的表面处理气体，同时，将处理区域设定为第二温度及第二压力。
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公开(公告)号：CN100533683C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710161652.3
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN100485860C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200510130390.5
申请日：2005-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片W保持在晶舟25中、将其搬入反应容器2内，以进行使用例如Si2Cl2气体和NH3气体作为成膜气体的成膜方案1的成膜处理。接着，自动选择与该成膜处理对应的清洗方案1，根据该清洗方案1对反应容器2进行清洗处理。根据每次成膜处理的种类准备清洗方案，自动选择与各成膜处理对应的清洗方案以进行清洗处理，由此，可以在抑制产生不必要的清洗时间的状态下，进行与各成膜处理对应的适当的清洗处理。
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公开(公告)号：CN101220505A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710152462.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。
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公开(公告)号：CN101131929A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710161652.3
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1831192A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610058179.1
申请日：2006-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
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公开(公告)号：CN1708833A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102592.8
申请日：2003-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67253 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。
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公开(公告)号：CN300868263D
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200730330575.0
申请日：2007-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Designer： 冈田充弘
Abstract: 后视图与主视图对称，故省略后视图。
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