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公开(公告)号：CN109690738A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055108.2
申请日：2017-08-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，其包括：预先准备试验用的硅晶片，在该试验用的硅晶片的表面形成所述多层膜，并测定形成了该多层膜的硅晶片的翘曲方向及翘曲量(Warp)W的工序；以及以使在与所述测定的翘曲方向相反的方向上形成有将所述测定的翘曲量W抵消的翘曲的方式，选择作为器件形成用基板的硅晶片、和在该作为器件形成用基板的硅晶片上形成的外延层的形成条件，并在所述选择的外延层的形成条件下在所述选择的作为器件形成用基板的硅晶片的形成所述多层膜的表面上形成所述外延层的工序。由此，提供一种外延硅晶片的制造方法，其能够制造使形成多层膜时的翘曲减少的外延硅晶片。
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公开(公告)号：CN109690733A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055519.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN106068546B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580011705.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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公开(公告)号：CN109661715A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780054077.9
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 气相生长装置1包括反应炉2、导入通路8、多条流路15a、分支路14a、及分割通路16b。反应炉2通过原料气体使外延层气相生长于基板W。导入通路8包括：入口8a，其通往反应炉2内；出口8b，其位于入口8a的上方且较入口8a靠反应炉2侧并且到达反应炉2内；及阶部8c，其位于导入通路8内。多条流路15a为32条以上，且自入口8a延伸至入口8a的外侧。分支路14a使多条流路15a自入口8a侧朝向原料气体的上游侧呈竞赛状合流。分割通路16b为将导入通路8与多条流路15a对应地分割而成的通路，且分别与多条流路15a连接并相通。由此，提供一种气相生长装置，其能够使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。
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公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105493232B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201480047111.6
申请日：2014-08-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此，能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。
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公开(公告)号：CN109075092A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780015683.X
申请日：2017-02-20
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 检测设备（1）包括照射装置（3）、光电二极管（4）和评价部（5）。照射装置（3）对衬底（W）的外表面照射激光。激光通过衬底（W）的外表面而反射的光射入光电二极管（4），该光电二极管（4）检测该光射入的第1位置（P1）。评价部（5）有计算部和检测部。计算部根据第1位置（P1）和在激光通过平坦的衬底（W）的外表面而反射时光射入光电二极管（4）中的第2位置（P2）来计算衬底（W）的外表面的倾斜度。检测部根据计算部计算的倾斜度，检测形成于衬底（W）的表面上的缺陷。由此，提供可根据对象物外表面的倾斜度，检测形成于该对象物外表面上的缺陷的检测设备和检测方法。
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公开(公告)号：CN109075039A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023720.1
申请日：2017-02-21
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 吉冈翔平
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , H01L21/20
Abstract: 外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×1019atoms/cm³以上的磷作为掺杂剂。在生长工艺中，在1040℃以上且1130℃以下的温度下，以2μm/min以下的生长速度，在基板W上生长外延层。由此，提供一种可以抑制积层缺陷的外延晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN109015115A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810514993.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物，将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头，研磨头配置于研磨装置，通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布，并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面，其中在以支承板而支承该被研磨物之前，先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状，依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨被研磨物。
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公开(公告)号：CN108778623A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018553.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 宇佐美佳宏
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种线锯装置的制造方法，该线锯装置包括钢线供给轴盘、长型辊、导线器、钢线卷收轴盘及被控制而在经设定的控制角度±A(°)内动作并且对该钢线赋予张力的张力臂，该线锯装置的制造方法包括下列步骤：测定该长型辊的表面粗糙度Rmax；自该钢线供给轴盘伸出该钢线时，测定该张力臂的角度摆动至该经设定的控制角度的范围外时的该张力臂的角度a(°)；将该经测定的该长型辊的表面粗糙度Rmax作为R1(μm)，计算出R1×2×A÷(|a|+A)＝R2；以及使该长型辊的表面粗糙度Rmax成为该计算出的数值R2以下。由此，可防止张力臂大幅摆动至控制范围外。
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