公开(公告)号：CN114303242A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080060507.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·M·考尔道 ,  K·萨尔帕特瓦里 ,  刘海涛 ,  D·V·N·拉马斯瓦米

IPC: H01L27/11565 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一些实施例包含设备及方法，其使用衬底、具有垂直于所述衬底的长度的支柱、第一导电板、第二导电板、位于所述第一导电板与所述第二导电板之间且与所述第一导电板及所述第二导电板电分开的存储器单元，及导电连接。所述第一导电板位于所述设备的第一层级中且通过位于所述第一层级中的第一电介质与所述支柱分开。所述第二导电板位于所述设备的第二层级中且通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述支柱分开。所述存储器单元包含位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第三层级中且与所述支柱及所述导电连接接触的第一半导体材料，及位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第四层级中且与所述支柱接触的第二半导体材料。

公开(公告)号：CN113544848A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080018554.8

申请日：2020-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·D·唐 ,  S·普卢居尔塔 ,  R·J·希尔 ,  高云飞 ,  N·R·塔皮亚斯 ,  杨立涛 ,  刘海涛

IPC: H01L27/108

Abstract: 一些实施例包含集成组合件，其具有沿着第一方向延伸且通过中介区彼此间隔的数字线。所述中介区中的每一者沿着横截面具有第一宽度。支柱从所述数据线向上延伸；所述支柱包含垂直延伸于上源极/漏极区与下源极/漏极区之间的晶体管沟道区。存储元件与所述上源极/漏极区耦合。字线沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸。所述字线包含邻近所述沟道区的栅极区。屏蔽线在所述中介区内且沿着所述第一方向延伸。所述屏蔽线可与至少一个参考电压节点耦合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

公开(公告)号：CN113383417A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201980091157.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 卡迈勒·M·考尔道 ,  K·萨尔帕特瓦里 ,  D·V·N·拉马斯瓦米 ,  刘海涛

IPC: H01L27/108

Abstract: 一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的存储器单元以及第一数据线、第二数据线和第三数据线。所述存储器单元包含第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包含位于所述设备的第一层级上的电荷存储结构，以及与所述电荷存储结构电分离的第一沟道区。所述第二晶体管包含位于所述设备的第二层级上且电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区。所述第一数据线和所述第二数据线位于所述设备的第三层级上且电耦合到所述第一沟道区。所述第一层级在所述衬底与所述第三层级之间。所述第三数据线电耦合到所述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。

公开(公告)号：CN112447716A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010909151.4

申请日：2020-09-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·C·潘迪 ,  刘海涛 ,  K·M·考尔道

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/118

Abstract: 本申请案涉及一种垂直晶体管阵列，以及一种用于形成垂直晶体管阵列的方法。一种垂直晶体管阵列包括隔开的导柱，其个别地包括个别垂直晶体管的沟道区。水平拉长的导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起。上部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区上方，下部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区下方，且导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区旁边，且互连多个所述垂直晶体管。公开了方法。

公开(公告)号：CN110459546A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910380635.1

申请日：2019-05-08

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·M·卡尔达 ,  刘海涛

IPC: H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明涉及具有铁电晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，其在第一比较数字线与第二比较数字线之间具有铁电晶体管主体区域。载流子储层结构通过沿所述第一比较数字线的侧传递的延伸部与所述铁电晶体管主体区域耦合。一些实施例包含具有在载流子储层结构之上的导电结构的集成组合件。所述导电结构的底部通过绝缘区域与所述载流子储层结构间隔。铁电晶体管在所述导电结构之上。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

公开(公告)号：CN110383477A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015646.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·C·潘迪 ,  刘海涛 ,  C·穆利 ,  S·D·唐

IPC: H01L27/108

Abstract: 一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体管的设备。所述晶体管包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体管还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体管的所述栅极耦合。数字线与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合。主体连接线位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。

公开(公告)号：CN110021609A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811654037.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 合田晃 ,  刘海涛 ,  陈进 ,  黄广宇 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573

Abstract: 本申请案涉及具有共享柱结构的多栅极串驱动器。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。一些所述设备包含：第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；柱，其延伸穿过所述导电材料及所述电介质材料；存储器单元，其是沿第一柱定位；导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料。第二柱包含：第一部分，其耦合到导电区域；第二部分；第三部分；及第四部分，其耦合到所述导电触点。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到第二柱的材料块的部分。

公开(公告)号：CN109994477A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811588942.0

申请日：2018-12-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  K·M·卡尔达 ,  A·法鲁辛

IPC: H01L27/11502

Abstract: 本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。

公开(公告)号：CN103339728B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280007365.6

申请日：2012-02-01

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  李健 ,  钱德拉·穆利

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/1158 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明涉及存储器装置，其展示为包含主体区域及连接区域，所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作，且在升压操作期间使电荷容纳在所述主体区域中。

公开(公告)号：CN119497402A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411027906.2

申请日：2024-07-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： F·A·席赛克-艾吉 ,  刘海涛

IPC: H10B80/00 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请涉及包含竖直间隔的晶体管及存储装置的微电子装置及存储器装置及相关电子系统。一种微电子装置包含第一裸片及竖直上覆于且附接到第一裸片的第二裸片。第一裸片包含阵列区及与阵列区水平相邻的外围区。阵列区包含存储器单元，其分别包含第一晶体管结构、与第一晶体管结构水平相邻的第二晶体管结构及竖直下伏于且耦合到第一晶体管结构及第二晶体管结构的存储装置。外围区包含子字线驱动器电路系统。第二裸片包含感测放大器区及与一些感测放大器区水平相邻的CMOS区。感测放大器区在第一裸片的阵列区的水平区域内且包含感测放大器电路系统。