公开(公告)号：CN113611710B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110891050.3

申请日：2019-09-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·法鲁辛 ,  刘海涛 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 本申请案涉及半导体装置、电子系统和相关方法。半导体装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。

公开(公告)号：CN110021609A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811654037.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 合田晃 ,  刘海涛 ,  陈进 ,  黄广宇 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573

Abstract: 本申请案涉及具有共享柱结构的多栅极串驱动器。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。一些所述设备包含：第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；柱，其延伸穿过所述导电材料及所述电介质材料；存储器单元，其是沿第一柱定位；导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料。第二柱包含：第一部分，其耦合到导电区域；第二部分；第三部分；及第四部分，其耦合到所述导电触点。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到第二柱的材料块的部分。

公开(公告)号：CN110880515B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910843545.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·法鲁辛 ,  刘海涛 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及微电子装置、电子系统和相关方法。微电子装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。

公开(公告)号：CN118401000A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410111248.9

申请日：2024-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·阿萨迪拉德 ,  王宜平 ,  D·H·威尔士 ,  M·J·金

IPC: H10B41/20 ,  H01L21/02 ,  G11C16/02

Abstract: 本申请涉及NAND阶梯着陆垫转换。存储器装置可包含可将字线与横穿所述存储器装置的材料堆叠的导电支柱耦合的一或多个横向字线触点。使用所述横向字线触点可允许导电支柱与目标字线耦合，而不需要将所述导电支柱的端部直接放置在所述字线上。另外，本文中所描述的存储器架构可允许所述目标字线经由第一导电支柱与CMOS电路系统耦合而不需要使用第二导电支柱，因为所述第一导电支柱可横穿所述材料堆叠且与所述CMOS电路系统耦合。因此，可减少导电支柱的总数量，且可降低制造错误的风险。

公开(公告)号：CN113611710A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110891050.3

申请日：2019-09-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·法鲁辛 ,  刘海涛 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及半导体装置、电子系统和相关方法。半导体装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。

公开(公告)号：CN110880515A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910843545.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·法鲁辛 ,  刘海涛 ,  M·阿萨迪拉德

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及微电子装置、电子系统和相关方法。微电子装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。