公开(公告)号：CN1180417A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97190106.6

申请日：1997-02-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山修 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  藤森裕司 ,  跡部光朗 ,  青山拓 ,  舟本达昭

IPC: G02B26/08

CPC classification number: H04N9/3114 ,  G02B26/0858 ,  G09F9/372 ,  H04N5/7458

Abstract: 本发明的目的在于提供对比度高的、而且可显示明亮的图象的光调制装置、显示装置和电子设备。该光调制装置的特征在于:在基板上备有用具有导电性的电极薄膜12、14夹住具有压电性的压电薄膜13的光调制结构,所述电极薄膜12、14中至少一个具有光反射性,所述光调制结构可对各个分别独立地对光进行调制的单位、即镜单元15进行驱动。

公开(公告)号：CN1579009B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03801384.3

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  古泽昌宏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  B05D7/00

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。

公开(公告)号：CN100477079C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610100303.6

申请日：1997-08-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  宫泽和加雄

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90%高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。

公开(公告)号：CN100456476C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410005319.X

申请日：2004-02-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  名取荣治 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。

公开(公告)号：CN100392891C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200310110299.8

申请日：1997-11-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫下悟 ,  木口浩史 ,  下田达也 ,  神户贞男

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/24868 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是，它包含：在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序；在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形，也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化，而且可以容易地调整发光效率。

公开(公告)号：CN100385682C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN00800436.6

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  关俊一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695

Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是，采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜，对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。

公开(公告)号：CN100340137C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN00803264.5

申请日：2000-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  西川尚男

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  G09F9/40 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3293 ,  G09F9/313 ,  H01L27/3244

Abstract: 通过将TFT层(22)的电路部(22C)退到相邻的EL显示体(14)的背面侧，能够使相邻的EL显示体(14)的周端的象素之间的间隔为10μm，使4个EL显示体(14)从外观上看为一体，能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时，能够维持TFT的象素部的象素间距。

公开(公告)号：CN1280755C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN98802395.4

申请日：1998-12-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 天野和彦 ,  下田达也 ,  中村次男 ,  笠原宏

IPC: G06F17/10 ,  G06F7/22 ,  G09C1/00

CPC classification number: G06F7/57 ,  G06F7/535 ,  G06F7/723 ,  G06F21/72 ,  G06F2207/3816 ,  G06F2207/5353 ,  G06F2221/2149

Abstract: 对于输入数据依处理步骤进行计算并将求得的结果输出的信息处理系统，此系统包括多个计算单元(7-1～7-x)，依据处理步骤以2m(m：自然数)位计算精度执行计算，还包括多个用来级联计算单元的级联终端。当计算中所要求的最大计算精度是2n(n为自然数且是常数)位时，将x个计算单元级联成满足x≥2n/2m(x是自然数)。当计算中所要求的计算精度是2n1(n1≤n，且n1是可变的)位时，将x1个计算单元级联成满足x1≥2n1/2m(x1是自然数且是可变的)。这样，以所需精度执行计算的信息处理系统就易由硬件方式实现。此外，在这种硬件方式下易于提高计算精度。

公开(公告)号：CN1755935A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510099599.X

申请日：2005-09-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原弘幸 ,  下田达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G01R31/31715 ,  G01R31/31723 ,  G11C11/401 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2029/5002 ,  H01L22/34 ,  H01L27/1214 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 转移基板包括：基板；通过去除层形成在基板上的多个转移薄膜电路；形成在基板上用于检查电路工作的测试电路；和耦连每个薄膜电路与测试电路的布线。

公开(公告)号：CN1246905C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中，以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有：第1信号电极(12)；在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16)；以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外，也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。