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公开(公告)号：CN112436087B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010656452.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
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公开(公告)号：CN113675202B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110256000.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B53/30
Abstract: 方法包括形成底部电极层，以及在底部电极层上方沉积第一铁电层。第一铁电层是非晶的。在第一铁电层上方沉积第二铁电层，并且第二铁电层具有多晶结构。该方法还包括在第二铁电层上方沉积第三铁电层，其中，第三铁电层是非晶的，在第三铁电层上方沉积顶部电极层，以及图案化顶部电极层、第三铁电层、第二铁电层、第一铁电层和底部电极层，以形成铁电随机存取存储器单元。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110323331B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201811251089.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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公开(公告)号：CN110739394B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910529886.1
申请日：2019-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 金海光
Abstract: 本发明实施例涉及用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含经安置于第一电极上的第一非晶切换结构。缓冲结构安置于所述第一非晶切换结构上。第二非晶切换结构安置于所述缓冲结构上。第二电极安置于所述第二非晶切换结构上，其中所述第一非晶切换结构及所述第二非晶切换结构经配置以取决于从所述第一电极到所述第二电极的电压是否超过阈值电压而切换于低电阻状态与高电阻状态之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108123034B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201710840815.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例提供一种具有复合式顶部电极的存储器胞。底部电极安置于衬底上方。具有可变电阻的切换介电层安置于所述底部电极上方。覆盖层安置于所述切换介电层上方。复合式顶部电极安置于所述覆盖层上方且邻接所述覆盖层。所述复合式顶部电极包含氮化钽TaN层及直接安置于所述氮化钽层上的氮化钛TiN膜。由于具有所述所揭示的复合式顶部电极，所以当暴露所述复合式顶部电极来形成顶部电极通路时，无需或不形成界面氧化层，借此改进所述顶部电极与所述顶部电极通路之间的RC性质。本发明实施例还提供一种用于制造所述存储器胞的方法。
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公开(公告)号：CN111261611B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201911205694.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例涉及具有导电帽结构的沟槽电容器。在一些实施例中，沟槽电容器包括下部电容器电极、位于下部电容器电极上面的电容器介电层以及位于电容器介电层上面的上部电容器电极。电容器介电层和上部电容器电极凹入衬底中并且限定凹陷到衬底中的间隙。导电帽结构位于上部电容器电极上并且密封上部电容器电极上的间隙。在一些实施例中，导电帽结构包括通过物理气相沉积(PVD)形成的金属层，并且还包括通过化学气相沉积(CVD)形成在金属层上面的金属氮化物层。在其他实施例中，导电帽结构是或包括其他合适的材料和/或通过其他沉积工艺形成。本发明的实施例还涉及半导体结构、集成芯片和形成沟槽电容器的方法。
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公开(公告)号：CN113113533A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110255835.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112490220A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010070339.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属(MIM)电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。
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