-
公开(公告)号：CN105938864A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/20
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
-
公开(公告)号：CN105932137A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
-
公开(公告)号：CN105742421A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610253384.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/42
Abstract: 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P?GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N?GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P?GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P?GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N?GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P?GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。
-
公开(公告)号：CN105449057A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510764604.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管，在衬底上依次生成低温缓冲层、高温缓冲层、多孔状反射层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层及透明导电层，P电极设置在透明导电层上，衬底为绝缘衬底时，N电极设置在N型掺杂层上，衬底为导电衬底时，N电极设置在衬底背面；多孔状反射层的组成材料为N型GaN，由具有多孔状结构的N型轻掺层与N型重掺层交替层叠组成。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
-
公开(公告)号：CN105428474A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374914A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510751194.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/14
Abstract: 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN105336826A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510765253.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法，在衬底上依次生长外延层；在外延层上制作透明导电层；在透明导电层上定义出切割道；腐蚀切割道至透明导电层和外延层被完全腐蚀，暴露出切割道处衬底；将暴露出切割道的外延片浸没在酸性电解液中，施加正向偏压，进行电化学腐蚀，将交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层制作成多孔状反射层；若衬底为绝缘衬底，在透明导电层上制作P电极，在N型掺杂层上制作N电极；若衬底为导电衬底，在透明导电层上制作P电极，在导电衬底的背面制作N电极；将外延片切割成独立的发光二极管器件。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
-
公开(公告)号：CN106449924B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开种光热电分离的倒装LED芯片,在衬底上形成缓冲层,在缓冲层上形成N‑GaN,在N‑GaN上形成有源层,在有源层上形成P‑GaN,依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN;在P‑GaN上形成金属反射层,在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层,在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层,导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极,P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接,N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离,出光面无电极挡光,取光效率高,热量由导热金属层导出,增加芯片可靠性。
-
公开(公告)号：CN105355744B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912098.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明包括依次设置在衬底一侧的外延层，第一电极连接在第一型欧姆接触层上，金属反射层设置在透明导电层之上，第二电极设置在金属反射层上，在第一电极和外延层之间设置电极隔离层，在芯片表面及侧面设置芯片保护层，第一型欧姆接触层至少包括两层第一型欧姆接触结构层，第一电极与各第一型欧姆接触结构层均连接。本发明通过在外延生长结构中设置不同第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN105355732B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510912092.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
99
records
(took 0.037 seconds)
