公开(公告)号：CN100440557C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610159296.7

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN100435268C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN1933203A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610159295.2

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1273654C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN00129013.4

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1799171A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015121.8

申请日：2004-05-27

Applicant: 夏普株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 神川刚 ,  金子佳加 ,  元木健作

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。

公开(公告)号：CN1148810C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN99106909.9

申请日：1999-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  松岛政人

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种氮化镓单晶衬底及其制造方法。该衬底用HVPE法或MOC法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×1016cm-3～1×1020cm-3的氧，且不具有其他材料的衬底部分。

公开(公告)号：CN1405903A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02142450.0

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1289865A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00129013.4

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法,其特征是气相成长的成长表面不是平面状态,形成具有三维的小面结构,保持小面结构,通过在不埋没小面结构下进行成长,可降低错位,进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1283306A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN98812716.4

申请日：1998-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C01B21/06

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。

公开(公告)号：CN1164759A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。