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公开(公告)号：CN118782472A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410860179.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/167 , H01L29/15 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法，包括以下步骤：在提供的衬底上交替生长牺牲层和沟道层，将沟道层和牺牲层刻蚀成多个周期分布的鳍片，并在相邻两个鳍片之间形成浅槽隔离区；在露出的鳍片表面形成假栅结构；在假栅结构的两侧形成侧墙；对鳍片进行源/漏刻蚀，刻蚀停止于所述衬底的表面，在侧墙两侧形成用于制备源/漏极的源/漏区；沿源/漏区的中心方向刻蚀掉所述牺牲层的边缘部分，形成内嵌的凹槽；对侧墙下方鳍片的侧壁进行选择性Si外延，并使鳍片与侧墙对齐；外延生长源/漏极。本发明简化了环栅堆叠纳米器件的整体集成流程，同时提高了源区和漏区的形成质量，提升了环栅晶体管的工作性能。
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公开(公告)号：CN114520137B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011296811.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法，属于半导体制造设备领域，解决了现有技术中现有半导体生产设备中，在刻蚀工艺微颗粒附着在静电卡盘表面，进而造成产品良品率下滑，预防性检修增多，停机时间增加，生产效率下滑的问题。本发明公开了一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置，包括：气体供应装置、调节阀门、主供气管、支供气管和喷嘴组成；支供气管沿刻蚀腔内壁设置，连接主供气管和喷嘴；喷嘴的设置位置高于静电卡盘上表面；调节阀门用于调节气体的流量；气体供应装置供应吹扫气体。本发明的装置及方法实现了半导体制造设备中刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的自动、有效去除。
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公开(公告)号：CN118400995A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310926739.4
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B12/00 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种垂直沟道三维堆叠器件及其制备方法，该器件包括：衬底；膜层单元，膜层单元包括依次堆叠设置的第一绝缘层、第一电极层、第二绝缘层、第二电极层以及第三绝缘层；栅极结构；围绕栅极结构侧壁设置的栅极介质层；围绕栅极介质层侧壁设置的第一间隔层和第二间隔层，第一间隔层与第一电极层同层设置，第二间隔层与第二电极层同层设置；围绕栅极介质层、第一间隔层以及第二间隔层设置的沟道层，沟道层还设置在栅极结构与第一绝缘层远离衬底一侧的表面之间。本公开利用垂直沟道内设置的第一间隔层和第二间隔层来增加栅极结构和第一电极层、第二电极层之间的间距，进而达到降低寄生电容的目的。
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公开(公告)号：CN118392319A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198966.4
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 本公开提供了一种热电堆智能温度传感系统，包括：探测器、处理器以及执行器；其中，所述探测器被配置为通过冷端探测环境温度，通过热端探测待测目标的温度，并根据所述冷端和所述热端之间的温差输出第一热电动势；所述处理器被配置为根据所述第一热电动势，向所述执行器发送调控指令；所述执行器被配置为根据所述调控指令，对所述探测器的冷端所探测的环境温度进行调节。本公开通过在传感器中集成执行器以实现对探测器的冷端所探测到的环境温度的调节，提升第一探测器和第二探测器所探测的温度之间的差值，使探测器输出远大于噪声，便于处理器基于预先标定的方式得到待测目标的准确温度，实现精准测量。
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公开(公告)号：CN114496691B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011173116.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘固定结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决聚焦环可能会发生物理性偏移的问题。该静电卡盘固定结构由聚焦环和基底组成；所述基底工作侧上设置有第一连接部；所述聚焦环的环平面上设置第二连接部；所述聚焦环包覆静电卡盘的边缘；所述基底和所述聚焦环通过所述第一连接部与所述第二连接部卡合连接。本发明能够防止聚焦环在长时间工艺流片中发生物理性偏移，进而保证刻蚀后不会发生图形漂移，从而提高蚀刻过程中晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114964349B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110188872.5
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室压力测量装置、测量方法及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中腔室内部压力测量不精确的问题。本发明腔室压力测量装置，包括压力计和温度调节单元；所述温度调节单元设置在所述压力计上，用于将所述压力计内的温度调节至与所述腔室内的温度一致；所述压力计设置在腔室壁上，且与腔室连通，用于测量腔室内部压力。本发明实现了腔室压力的精准测量。
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公开(公告)号：CN113948359B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010695475.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。本发明能够防止静电吸盘出现拉弧。
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公开(公告)号：CN117580359A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210934850.3
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于在减少半导体器件工艺步骤的同时，提高半导体器件的制造效率。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底包括衬底、以及形成在衬底上的第一掩膜图案。第一掩膜图案包括至少两个芯轴、以及位于相邻两个芯轴之间的芯轴槽。形成覆盖衬底和第一掩膜图案的侧墙层。侧墙层位于芯轴槽内的部分围成间隙。在间隙内形成多晶填充层。采用原位刻蚀工艺去除侧墙层位于芯轴的顶部和侧壁上的部分形成目标掩膜图案，以及在目标掩膜图案的掩膜下刻蚀衬底形成栅极沟槽。
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公开(公告)号：CN111900166B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010575383.0
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能部的侧壁外。半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外具有空气隙，能够有效降低寄生电容，同时空气隙的制备步骤少，工艺简单，能够很好地降低成本、提高产率。
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公开(公告)号：CN117042439A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210462362.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高氧化物的均匀性，减少缺陷；由于去除氧化阻挡层去除之后，栅位线侧壁上氧化物的整体厚度会减薄，各栅位线之间的间隔会增大，后续在填充间隔沟槽时，填充能力及填充膜层的均匀性也能得到改善，提高器件的整体性能。
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