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公开(公告)号：CN101038946A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610064882.3
申请日：2006-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。
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公开(公告)号：CN1925175A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086314.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(1011/cm2以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1925174A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92－0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92－0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1901139A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510084357.3
申请日：2005-07-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500－530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。
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公开(公告)号：CN1896718A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200510012173.6
申请日：2005-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体晶片测量技术领域，特别是一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法。该方法利用了偏振调制光谱技术，通过测量材料表面内相互垂直的两个方向上反射系数的各向异性光谱，根据光谱中在带隙能量或者其它临界点能量附近处的各向异性信号强弱，从而得到材料表面亚损伤的信息。该测试方法对于材料不具有损伤性，测试过程简单快捷，测试精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825539A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009509.3
申请日：2005-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于III族氮化物的六方相物质(如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等)，形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预沉积的六方相物质由于晶格常数小于III族氮化物，可在其上生长的III族氮化物薄膜中引入压应力，从而补偿与硅衬底热失配引入的拉应力。
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公开(公告)号：CN1796593A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098996.0
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN1490887A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02147587.3
申请日：2002-10-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层，该下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一衬底，该衬底在下限制层的下面；一层介质膜，该介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一应力缓冲层的上面均有一间隔层。
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公开(公告)号：CN1414644A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01136843.8
申请日：2001-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单/多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单/多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。
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