公开(公告)号：CN1652418A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410003647.6

申请日：2004-02-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 路秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/042

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

公开(公告)号：CN1305186C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200310123450.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

公开(公告)号：CN1700541A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200410043265.6

申请日：2004-05-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 路秀真 ,  常秀兰 ,  胡颖 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/22

Abstract: 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。

公开(公告)号：CN1635673A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200310123450.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

公开(公告)号：CN2707774Y

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200420077769.5

申请日：2004-07-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 路秀真 ,  常秀兰 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: C23C14/26

Abstract: 本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄形盒体内，该加热片的两接脚露出于薄形盒体的开口之外。本实用新型具有升温迅速，加热均匀，蒸发过程中污染小，断电后，降温迅速的优点。