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公开(公告)号：CN1700541A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410043265.6
申请日：2004-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。
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公开(公告)号：CN1960091A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200510117174.7
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN1870367A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510073773.3
申请日：2005-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 路秀真
Abstract: 一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；(B)然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；(C)沉积电极；(D)进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；(E)分步湿法腐蚀，得到所需的电极、台面和支架。
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公开(公告)号：CN1824833A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510011351.3
申请日：2005-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23F1/16
Abstract: 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。
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公开(公告)号：CN2707774Y
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200420077769.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/26
Abstract: 本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄形盒体内，该加热片的两接脚露出于薄形盒体的开口之外。本实用新型具有升温迅速，加热均匀，蒸发过程中污染小，断电后，降温迅速的优点。
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