公开(公告)号：CN1824833A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510011351.3

申请日：2005-02-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 车晓玲 ,  刘峰奇 ,  黄秀颀 ,  雷文 ,  刘俊岐 ,  路秀真

IPC: C23F1/16

Abstract: 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。

公开(公告)号：CN1713357A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410049950.X

申请日：2004-06-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 车晓玲 ,  刘峰奇 ,  黄秀颀 ,  雷文 ,  刘俊岐 ,  王占国

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及氮气管。采用三电极的电化学体系，该三电极分别是辅助电极、参比电极、工作电极。电化学腐蚀工艺方法包括如下步骤：(A)磷化铟基片解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；(B)然后去除磷化铟基片表面的氧化层；(C)再进行电化学池的安装；(D)之后通氮气15分钟；(E)最后施加电压进行腐蚀。本发明适用于多孔磷化铟或砷化镓阵列等多孔半导体材料的制备。

公开(公告)号：CN100364063C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410049950.X

申请日：2004-06-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 车晓玲 ,  刘峰奇 ,  黄秀颀 ,  雷文 ,  刘俊岐 ,  王占国

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明一种电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将磷化铟基片(11)解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；步骤2：然后去除磷化铟基片表面的氧化层；步骤3：再进行电化学池(2)的安装；步骤4：之后通氮气15分钟；步骤5：最后通电进行腐蚀，得到有规则的四边形，孔壁为竖直的蜂窝状结构的多孔磷化铟形貌。