公开(公告)号：CN1305186C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200310123450.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

公开(公告)号：CN1635673A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200310123450.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。