公开(公告)号：CN1225035C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN02147587.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张子旸 ,  王占国 ,  徐波 ,  金鹏 ,  刘峰奇

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一在下限制层的下面的衬底；一层介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一缓冲层与其上面一层量子点之间均有一层间隔层，在最下面一层量子点的下面和最上面一层缓冲层的上面均有一层盖层。

公开(公告)号：CN1490887A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02147587.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张子旸 ,  王占国 ,  徐波 ,  金鹏 ,  刘峰奇

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层，该下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一衬底，该衬底在下限制层的下面；一层介质膜，该介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一应力缓冲层的上面均有一间隔层。