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公开(公告)号：CN101505034B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910119057.2
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511734C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510086314.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN101505034A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910119057.2
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN100369281C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件-用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92-0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92-0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1925175A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086314.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(1011/cm2以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1925174A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92－0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92－0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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