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公开(公告)号：CN101026203A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610003180.4
申请日：2006-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 陈振
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过表面钝化形成在半导体模板层上，起到提高吸附原子在表面迁移势垒的作用；一半导体诱导层，制作在钝化层上，起到促进半导体纳米岛形成的作用；一半导体纳米岛层，制作在半导体诱导层上，作为光电子器件的活性层；一半导体盖帽层，制作在半导体纳米岛层上，起到保护半导体纳米岛层，或者提供载流子的作用。
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公开(公告)号：CN1219333C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN02128518.7
申请日：2002-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)在诱导层上再生长一层或多层异质氮化镓基量子点结构，所生长的单或多层异质氮化镓基量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)在P型材料上镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
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公开(公告)号：CN1414644A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01136843.8
申请日：2001-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单/多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单/多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1365136A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法,包括如下制备步骤:(1)用一衬底,使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直;(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板;(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜,在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN1154155C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法，包括如下制备步骤：(1)用一衬底，使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直；(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜，在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN1474464A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02128518.7
申请日：2002-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；(2)对材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；(4)然后再生长一层或多层异质量子点结构，所生长的单/多层异质量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
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公开(公告)号：CN1145197C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN01100889.X
申请日：2001-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/223
Abstract: 本发明一种高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法，其是在氮化镓基化合物/蓝宝石的复合衬底上或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，生长高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜，其中运用镁和铟元素共掺的方法来生长，并经退火转型使其达到高P型载流子浓度。
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公开(公告)号：CN1367524A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN01100889.X
申请日：2001-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/223
Abstract: 本发明一种高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法,其是在氮化镓基化合物/蓝宝石的复合衬底上或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上,生长高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜,其中运用多种元素共掺的方法来生长,并经退火转型使其达到高P型载流子浓度。
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