公开(公告)号：CN100345250C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510054469.4

申请日：2005-03-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李凯 ,  叶小玲 ,  王占国

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。

公开(公告)号：CN1901139A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200510084357.3

申请日：2005-07-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李凯 ,  叶小玲 ,  王占国

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500－530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。

公开(公告)号：CN100364050C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510084357.3

申请日：2005-07-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李凯 ,  叶小玲 ,  王占国

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500-530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。

公开(公告)号：CN1832102A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510054469.4

申请日：2005-03-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李凯 ,  叶小玲 ,  王占国

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。