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公开(公告)号：CN102590935A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110003997.2
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底，其中，在锗材料层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬臂梁式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在具有埋氧层、且表层为锗材料层的半导体基底的锗材料层中掺杂以形成n型重掺杂层，然后对锗材料层进行微机械加工形成光子晶体微腔，随后在部分区域进行光刻和刻蚀暴露出部分埋氧层，然后再进行湿法腐蚀，用以去除光子晶体微腔下的埋氧层，同时实现锗悬臂梁的释放。本发明的优点在于：能够通过外力调节悬臂梁上的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并利用光子晶体微腔提高发光效率。
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公开(公告)号：CN101692440B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910197074.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。
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公开(公告)号：CN102386068A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215670.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。
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公开(公告)号：CN102383192A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215672.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。
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公开(公告)号：CN101916741B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010223281.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm，然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex，Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合适的能量，使离子注入到埋氧和衬底硅的界面；进行退火工艺，使应变的Si1-xGex层进行弛豫，同时，顶层硅受到拉伸的应力，离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松，顶层硅成为应变硅；将剩余的Si1-xGex层移除，得到所需的应变硅材料。由此可见，本发明的最大优点是通过离子注入和外延工艺，而不需要键合工艺，直接将外延SiGe材料的应力反转，直接将应力转移到绝缘体上硅的顶层硅中，从而可望大大简化绝缘体上应变硅的制备工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101197260B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710173709.1
申请日：2007-12-28
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及一种半导体衬底，包含了位于顶层的覆盖层和位于覆盖层下方的孔洞层，以及位于孔洞层下方的支撑层。采用离子注入和阳极氧化两种方法来制备这种特殊结构的半导体衬底。同时还公开了采用这种半导体衬底来制作广义键合减薄绝缘体上的硅材料的方法；以及将该半导体衬底用于材料外延作为外延衬底的方法。与现有技术相比，本发明的优在于该半导体衬底中的孔洞层能够帮助释放层间应力，获得完美的单晶材料。
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公开(公告)号：CN101692440A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910197074.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。
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公开(公告)号：CN101604657A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053503.4
申请日：2009-06-19
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/78
Abstract: 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。
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公开(公告)号：CN111540710B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202010393159.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。
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公开(公告)号：CN105866885B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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