公开(公告)号：CN105785508B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201410821688.X

申请日：2014-12-25

Applicant: 南通新微研究院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 盛振 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王智琪

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/42 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III‑V族光增益结构及与所述III‑V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III‑V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。

公开(公告)号：CN105866885B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201510031371.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 南通新微研究院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汪敬 ,  甘甫烷 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/126

Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。

公开(公告)号：CN106953234B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201710078430.9

申请日：2017-02-14

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  南通新微研究院

Inventor： 仇超 ,  龚谦 ,  武爱民 ,  高腾 ,  盛振 ,  甘甫烷 ,  赵颖璇 ,  李军

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。