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公开(公告)号：CN105866885B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201510031371.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
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公开(公告)号：CN105785508B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201410821688.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III‑V族光增益结构及与所述III‑V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III‑V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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公开(公告)号：CN106953234B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201710078430.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南通新微研究院
Abstract: 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。
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公开(公告)号：CN118778173A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410913282.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
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公开(公告)号：CN118759737A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913180.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计算法的热光移相器，其特征在于，包括从下到上依次生成的衬底、埋氧层和覆盖层，所述覆盖层内设有芯层波导和加热器，所述芯层波导置于所述埋氧层上且与所述埋氧层相接，所述加热器包括位于所述芯层波导上方且与所述芯层波导平行的长方体热源，所述长方体热源的两端分别连接有金属电极；所述长方体热源的参数是通过逆向设计算法来优化获得的。本发明能够精确设计TiN薄膜的相关参数以提高热光效应的效率和稳定性，进而提高热光移相器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118759646A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913269.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的多通道波分复用器，包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器均由马赫曾德尔干涉仪结构级联构成；所述第一滤波器的输入端与输入波导相连，上输出端与所述第二滤波器的下输入端相连，下输出端与所述第三滤波器的上输入端相连。本发明能够实现实现超大的通带平坦度和超低的通道串扰。
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公开(公告)号：CN118759635A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913084.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可连续调节的光功分器，包括光耦合器，以及置于所述光耦合器的模式演化区的加热器，所述加热器根据其两端施加电压的不同来调节所述模式演化区的温度，进而调节所述光耦合器的功分比。本发明能够减少光功分器的分光比偏差，实现功分比可实时调节的效果。
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公开(公告)号：CN115902709A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211722464.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC: G01R31/66
Abstract: 本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。
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公开(公告)号：CN112817086B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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公开(公告)号：CN108153001B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
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