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公开(公告)号：CN115188776B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110359483.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法，本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法，通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度，简化测试过程，同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。
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公开(公告)号：CN118778173A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410913282.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
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公开(公告)号：CN118759737A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913180.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计算法的热光移相器，其特征在于，包括从下到上依次生成的衬底、埋氧层和覆盖层，所述覆盖层内设有芯层波导和加热器，所述芯层波导置于所述埋氧层上且与所述埋氧层相接，所述加热器包括位于所述芯层波导上方且与所述芯层波导平行的长方体热源，所述长方体热源的两端分别连接有金属电极；所述长方体热源的参数是通过逆向设计算法来优化获得的。本发明能够精确设计TiN薄膜的相关参数以提高热光效应的效率和稳定性，进而提高热光移相器的性能。
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公开(公告)号：CN118759646A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913269.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的多通道波分复用器，包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器均由马赫曾德尔干涉仪结构级联构成；所述第一滤波器的输入端与输入波导相连，上输出端与所述第二滤波器的下输入端相连，下输出端与所述第三滤波器的上输入端相连。本发明能够实现实现超大的通带平坦度和超低的通道串扰。
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公开(公告)号：CN118759635A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913084.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可连续调节的光功分器，包括光耦合器，以及置于所述光耦合器的模式演化区的加热器，所述加热器根据其两端施加电压的不同来调节所述模式演化区的温度，进而调节所述光耦合器的功分比。本发明能够减少光功分器的分光比偏差，实现功分比可实时调节的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118330812A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410413078.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于双层SOI的绝热定向耦合器及其制备方法，所述双层SOI衬底依次包括基底、埋氧层、第一波导层、第二埋氧层、第二波导层。基于双层SOI的绝热定向耦合器(ADC)，同时兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的性能特点，可以广泛用于波分复用，无源光网络，光学神经网络等系统当中。
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公开(公告)号：CN116203742A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310228557.X
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本发明能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN115877512A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211487141.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低损耗紧凑型MMI功率耦合器及其制作方法，其中，MMI功率耦合器包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接若干条形波导作为输入，另一侧连接一根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，每个纳米像素点型结构为二元状态，每个纳米像素点型结构的状态通过二元搜索法和设置的目标函数确定；所述目标函数设定为输入任何相位差的TE模光源时，输出端口的透射率最大。本发明解决现有技术中MMI功率耦合器对同相位耦合损耗高、占地面积较大等问题。
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公开(公告)号：CN115166991A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110359487.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种90°光混频器及制作方法，该90°光混频器包括Si3N4MMI耦合器，该Si3N4MMI耦合器使用氮化硅作为波导的芯层材料，二氧化硅作为波导的包层材料，基于氮化硅材料制成的Si3N4MMI耦合器制作工艺简单，与集成器件、CMOS工艺兼容。该Si3N4MMI耦合器的四个输出波导输出的光功率保持一致，且四个输出波导输出光束的相位误差在‑5°～5°范围内，四个输出波导的总透射率大于0.9时，对应的带宽为68nm，覆盖了波长范围在1530nm‑1565nm之间的C波段，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN112817086B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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