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公开(公告)号：CN118244519A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408713.5
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种等比例X交叉型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的左斜PN结与第二轻掺杂区(2)的右斜PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造等比例X交叉型的三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器旨在提高调制效率和带宽，同时降低功耗，从而为大规模数据传输提供低功耗的解决方案，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114236880A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111455348.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用，包括硅层(1‑9)，其特征在于：所述硅层(1‑9)上依次包括P型重掺杂区(1‑5)、P型中等掺杂区(1‑3)、P型轻掺杂区(1‑1)、N型轻掺杂区(1‑2)、N型中等掺杂区(1‑4)和N型重掺杂区(1‑6)；所述P型轻掺杂区(1‑1)与N型轻掺杂区(1‑2)形成至少两个纵向PN结，至少三个横向PN结。本发明通过控制离子注入的比例和位置，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输。
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公开(公告)号：CN116203742A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310228557.X
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本发明能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN118377161A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410408723.9
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的L型PN结与第二轻掺杂区(2)的U型PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造L型PN结‑U型PN结的不等比例三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118295156A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410408715.4
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结；所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例不相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的不等比例三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器，这种调制器在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118244517A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408710.1
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一P型轻掺杂区(1)和第一N型轻掺杂区(3)以及第二P型轻掺杂区(2)和第二N型轻掺杂区(4)；所述第一P型轻掺杂区(1)、第一N型轻掺杂区(3)、第二P型轻掺杂区(2)、第二N型轻掺杂区(4)形成一个三维PN结。本发明通过构造不等比例的三维掺杂分布，实现了高效调制，在低驱动电压下具有高带宽的优势，可实现低功耗高速数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118244518A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408712.0
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结；所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的三维掺杂结构，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN219642035U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320448550.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本实用新型能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN217467402U
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202123001387.7
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种硅基耗尽型电光调制器，包括硅层(1‑9)，其特征在于：所述硅层(1‑9)上依次包括P型重掺杂区(1‑5)、P型中等掺杂区(1‑3)、P型轻掺杂区(1‑1)、N型轻掺杂区(1‑2)、N型中等掺杂区(1‑4)和N型重掺杂区(1‑6)；所述P型轻掺杂区(1‑1)与N型轻掺杂区(1‑2)形成至少两个纵向PN结，至少三个横向PN结。本实用新型在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输。
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