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公开(公告)号：CN116203742A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310228557.X
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本发明能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN115877512A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211487141.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低损耗紧凑型MMI功率耦合器及其制作方法，其中，MMI功率耦合器包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接若干条形波导作为输入，另一侧连接一根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，每个纳米像素点型结构为二元状态，每个纳米像素点型结构的状态通过二元搜索法和设置的目标函数确定；所述目标函数设定为输入任何相位差的TE模光源时，输出端口的透射率最大。本发明解决现有技术中MMI功率耦合器对同相位耦合损耗高、占地面积较大等问题。
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公开(公告)号：CN219642035U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320448550.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本实用新型能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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