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公开(公告)号：CN104977088B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510437149.0
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微波功率器件瞬态温度测量系统及其数据处理方法，涉及微波功率器件温度测量装置或方法技术领域。所述测量系统包括：红外辐射探测器，与放大大路的信号输入端连接，用于采集微波功率器件发出的红外辐射信号；放大电路，与数据采集卡的信号输入端连接，用于将采集的红外辐射信号进行放大处理；数据采集卡，与工控计算机进行双向数据交互，用于根据工控计算机的控制进行数据采集；工控计算机，用于处理数据采集卡采集的数据，并将采集卡采集的电信号转换为温度数据进行存储并显示。通过所述测量系统能够实现对微波功率器件周期性和非周期性的任意瞬态温度的测量，且测量速度快，精度高。
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公开(公告)号：CN107941346A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711138993.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了空间分辨力校准装置及制备方法，属于计量技术领域，包括：衬底，金属或金属化合物层设置于衬底上表面；金属或金属化合物层设置有用于定位空间分辨力校准装置位置的定位标记和用于判定成像系统空间分辨力的标称值标识。本发明利用不同发射率的材料制作空间分辨力校准装置的图形和背景，图形能够在显微红外热像仪下清晰分辨，实现对显微红外空间分辨力的校准功能。
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公开(公告)号：CN104297551B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410502198.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接。所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本发明解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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公开(公告)号：CN114241023B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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公开(公告)号：CN116087620A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310123457.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种片内热阻测试方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先根据多个电流以及与所述多个电流相对应的多个电极温升，构建电极的温升曲线；然后，根据热波的穿透特性以及所述温升曲线，确定目标电流，其中，所述目标电流产生的热波穿透所述功能层以及所述衬底层并抵达所述衬底层与所述粘结层的边界；最后，根据目标温升确定所述芯片的片内热阻，其中，所述目标温升根据所述目标电流以及所述温升曲线确定。本发明方法能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113858797B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111102035.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种故障点确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取目标物体上第一实际图形与对应的理想图形在第一方向的第一偏移量和在与第一方向垂直的第二方向的第二偏移量；第一实际图形为目标物体上关于目标物体的中心对称的至少两组实际图形；根据各个第一偏移量和第二偏移量，确定目标物体在第一方向的第一实际偏移量和第二方向的第二实际偏移量；根据第一实际偏移量和第二实际偏移量，确定目标物体的偏移角度。本发明能够根据目标物体上的少量实际图形和理想图形，确定目标物体的第一实际偏移量、第二实际偏移量和偏移角度，进而解决目标物体的偏移量和偏移角度难以确定的问题，从而方便目标物体对应的目标设备的故障点确定。
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公开(公告)号：CN115436422A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210960719.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20 , H01L23/544
Abstract: 本申请适用于半导体材料热物性测试技术领域，提供了一种贴片式电极及制备方法和材料导热率测试方法，上述贴片式电极包括：金属条带，所述金属条带呈Π字形；加电焊盘和测试采样焊盘，设置于所述金属条带上；其中，将所述贴片式电极与待测材料贴合后，通过加电设备向所述加电焊盘施加频率为ω的交流电流，通过采集设备与所述测试采样焊盘连接以采集频率为3ω的谐波电压。上述贴片式电极应用于通过3ω测试方法对芯片进行导热率测试的工作场景，提升了对芯片使用3ω方法进行导热率测试的便捷性和泛用性。
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公开(公告)号：CN114993505A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN114295954A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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公开(公告)号：CN114112113A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111172077.3
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻传递标准件及热阻测量仪器校准方法，上述热阻传递标准件包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚及壳体；第一半导体芯片和第二半导体芯片均设置在壳体内部；第一管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阳极连接，第二管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阴极连接；第三管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阳极连接，第四管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阴极连接。本发明提供的热阻传递标准件设置两个相互独立的半导体芯片，分别用于输入测试电流和工作电流，不存在电流的切换，有效提高了热阻传递标准件的标定精度。
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