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公开(公告)号：CN111270314A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010306276.8
申请日：2020-04-17
申请人： 中国电子科技南湖研究院 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种制备大尺寸单晶的方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的方法。包括以下步骤：材料选取：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；拼接面加工：对半导体单晶块的拼接面进行经过定向、抛光、酸洗处理；单晶拼合：将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接；单晶连接：将拼合后的单晶块，在真空洁净环境或者在挥发性气氛下施加特定的压力，完成大尺寸单晶的制备。有益效果：1、将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程控制简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
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公开(公告)号：CN111128964A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911226284.5
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
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公开(公告)号：CN110760931A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155614.6
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本发明属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室、投料室及装料室，装料室和投料室借助插板分隔，装料室内设置翻转投料器，投料室内设置送料管，送料管一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室内的坩埚内形成铟磷混合球投送结构；坩埚定位在坩埚杆上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室顶盖上。可将铟磷混合球快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚中，合成后后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN110197854A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910537186.7
申请日：2019-06-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
摘要： 本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N-低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN108376735A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810167642.9
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L25/07
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件，包括在第一衬底的第一表面形成GaN外延层；GaN外延层包括GaN缓冲层和势垒层；在GaN外延层上形成压力敏感单元；压力敏感单元为四个首尾相连的GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路；在第一衬底的第二表面形成凹槽；凹槽在GaN外延层上对应区域覆盖GaNH EMT器件；将形成凹槽后的第一衬底与第二衬底贴合形成密封腔体；第一表面和第二表面为相对的两个表面。本发明通过在密封腔体凹槽对应区域内制备由四个首尾相连的GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路作为压力敏感单元，控制GaN HEMT器件栅电极电压，使GaN HEMT器件在灵敏度最高的亚阈值区工作，从而提高压力传感器灵敏度。
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公开(公告)号：CN115872375B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202211703548.3
申请日：2022-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，属于半导体材料技术领域，包括：将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3‑5遍；将多晶料在流动惰性气体下加热至800‑850℃，持续20‑60min，然后降低温度至室温；打磨，去掉表层的磷化铟；将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1‑2min，然后用去离子水清洗3‑5遍；用沸腾的去离子水煮10‑30min；真空烘干。本发明采用物理和化学相结合的方法，能有效避免多晶料氧化层的形成，提高多晶料材料的纯度；工艺简单，酸腐蚀工艺环节少，对环境污染少，且成本低；针对回炉用多晶料形状多样性的特点，可以有效地进行清洗。
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公开(公告)号：CN113395056B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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公开(公告)号：CN116613159A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310587065.X
申请日：2023-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/86 , H01L21/8252 , H01L21/329 , H03G11/02
摘要： 本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
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公开(公告)号：CN116125353A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211097162.2
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本申请提供一种在片S参数测量系统误差修正方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值，并基于预先确定的第一关系式，对在片负载校准件进行修；然后，根据修正后的在片负载校准件对在片S参数系统进行校准。最后，对在片S参数测量系统的串扰误差进行修正。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN115872375A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211703548.3
申请日：2022-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，属于半导体材料技术领域，包括：将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3‑5遍；将多晶料在流动惰性气体下加热至800‑850℃，持续20‑60min，然后降低温度至室温；打磨，去掉表层的磷化铟；将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1‑2min，然后用去离子水清洗3‑5遍；用沸腾的去离子水煮10‑30min；真空烘干。本发明采用物理和化学相结合的方法，能有效避免多晶料氧化层的形成，提高多晶料材料的纯度；工艺简单，酸腐蚀工艺环节少，对环境污染少，且成本低；针对回炉用多晶料形状多样性的特点，可以有效地进行清洗。
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