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公开(公告)号：CN111755553B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910242772.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN110943095B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201811110509.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
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公开(公告)号：CN111785616B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910273253.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN116262304A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111530777.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B23K26/362 , H01L21/304 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于激光刻蚀工艺的器件结构的制备方法，包括：1)将多束激光母光束各自聚焦后等分处理成多个激光子光束，并将多个激光子光束进行等距排列；2)提供一控制模块，控制模块可独立控制各激光子光束；3)通过激光标记对位方法获取激光子光束的实际位置，以在控制模块建立与各激光子光束的实际位置一一对应的坐标图层；4)基于坐标图层，通过控制模块控制各子激光对目标基底进行激光刻蚀，以形成所需的器件结构。本发明能够通过控制多激光束达到无掩膜状态下进行不同位置、不同形状光波导精准刻蚀的目的，可极大降低成本，提高刻蚀速率；通过改变激光种类及能量，可实现不同深度光波导的精准刻蚀。
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公开(公告)号：CN116153851A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111392291.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1)于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2)形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3)形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4)刻蚀多晶硅层，形开口；5)进行第二热氧化工艺，在多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，基于体积变化将开口封闭形成第二封口，从而控制第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。本发明仅需采用传统的多晶硅沉积工艺结合多晶硅热氧化工艺便可有效对非对称大深宽比沟槽填充并控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115598867A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110780879.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: G02F1/01
Abstract: 本申请提供一种光学相控阵及其制造方法，该光学相控阵包括：分束器，其将输入的光分为多个光束，并通过至少两个分束器输出波导输出该多个光束，该分束器输出波导为第一材料形成；移相器阵列，其包括至少两个移相器波导，各该移相器波导与该分束器的各该分束器输出波导耦合，并调整从该分束器输出波导接收到的光的相位，在垂直于该基板的表面的方向上，该移相器波导与该分束器输出波导之间具有第一间隙，该移相器波导为第二材料形成，该第二材料不同于该第一材料；以及发射器阵列，其与该移相器阵列耦合，将经过该移相器阵列调整相位后的光向外发射。本申请能够利用不同材料的特点，不仅提高输出光功率，降低传输损耗，而且，降低移相器的功耗。
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公开(公告)号：CN115513325A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110633059.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种吸收增强型硅基红外光电探测器及其制作方法，探测器包括：衬底以及沿垂直于衬底的方向依次层叠于衬底表面的集电极区、吸收区、基极区和发射极区；吸收区和基极区采用GePb材料，以在短红外波段到中红外波段实现高效吸收；发射极区采用SiGe材料。光子经过GePb材料的吸收区的吸收生成光生载流子，在电场作用下漂移至GePb材料的基极区，由于在SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区的界面价带和导带处形成有效的带阶，光生载流子在GePb材料的基极区积累，使SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区界面带阶的下降，载流子从发射极区注入到基极区，形成光电流的放大，从而实现高灵敏度探测。
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公开(公告)号：CN115144976A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110342095.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于大尺寸发光端面激光器与单模硅波导间的耦合结构及其制作方法，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本发明可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN114763019A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110030746.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B32B3/24 , B32B7/023 , B32B17/10 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B38/04 , G02B1/00
Abstract: 本发明提供一种多层聚合物薄膜三维光子晶体及其制作方法，三维光子晶体包括：基底和聚合物薄膜叠层，聚合物薄膜叠层贴合在基底表面，聚合物薄膜叠层由两种或两种以上具有不同折射率的聚合物薄膜交替地周期性排布形成，聚合物薄膜叠层具有多个垂直穿透其厚度方向的空气孔，空气孔在聚合物薄膜叠层中按晶格形式排列。本发明采用的聚合物薄膜的结构千变万化，易于成形和处理，生产制作工艺简单，成本低，利于大面积制作，且聚合物材料种类众多，折射率、密度等可以调控，为光子晶体制作提供了很大的选择空间，可使得光子晶体具有各种各样不同的性质，同时本发明可大大地降低光子晶体的制作难度。
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公开(公告)号：CN111211181B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811379149.X
申请日：2018-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制造方法，该波导型光电探测器包括：位于衬底表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面的下接触层；位于所述下接触层表面的光电转换层，所述光电转换层的材料包含锗(Ge)；位于所述光电转换层表面的上接触层；以及形成于所述第一绝缘层上方的氮化硅波导，所述氮化硅波导在平行于所述衬底表面的横向上延伸，并且，在所述横向上，所述氮化硅波导的一个端部与所述光电转换层连接，所述氮化硅波导传递的光入射到所述光电转换层，并在所述光电转换层中生成光电流。根据本实施例，由SiN形成波导，因此，能提高光的传输效率；并且，SiN波导与光电转换层端面耦合，能提高光探测效率。
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