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公开(公告)号：CN102544032A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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公开(公告)号：CN102194994A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059136.6
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法。该双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储层。所述两个双极存储层可经由设置在它们之间的中间电极彼此连接。所述两个双极存储层可具有相同的结构或者相对的结构。
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公开(公告)号：CN102194850A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035623.9
申请日：2011-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L29/685 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/53
Abstract: 本发明公开了包括可变电阻材料的半导体器件、操作该半导体器件的方法、包括可变电阻材料的能够转换的存储器件、包括该半导体器件的存储卡和包括该半导体器件的电子系统。半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。
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公开(公告)号：CN102067319A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980119801.7
申请日：2009-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693
Abstract: 提供一种氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体包含Zn、In及Hf，在Zn、In及Hf原子的总数量中，Hf原子数量的组成比为2～16at％。
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公开(公告)号：CN102065247A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN101527318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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公开(公告)号：CN101257048A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN1177294C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02119151.4
申请日：2002-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 提供了一种通过将作用于压电薄膜的压力转换成电信号来感知指纹的指纹传感器。该指纹传感器具有一个压电器件集合体，它包括：衬底；在衬底上形成的下部电极；在下部电极上形成的压电薄膜；在压电薄膜上形成的上部电极；在上部电极上形成的加压部分，该加压部分用于通过由于指纹接触所产生的压力来改变压电薄膜上的电荷量；以及在下部电极上形成的非导电层，该非导电层用于支撑和暴露所述加压部分。结果，能够提供一种结构简单，并且能够利用压电现象准确感知指纹信息的指纹传感器。该指纹传感器能够应用于公共机构和私人企业中用于确定人员身份的系统，以及个人便携系统。
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公开(公告)号：CN1154546C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99110200.2
申请日：1999-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B08B3/08 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/31111 , H01L21/31691
Abstract: 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE))和乙酸的混合物，或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物，作为浸蚀剂，从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率，该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度，进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以，只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。
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