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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1468975A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03109510.0
申请日：2003-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4558 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积(ALD)反应设备。该提供的设备包括：真空室，其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道；位于真空室内的反应器，其包括反应室和气体分配器，在反应室中，通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应，而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体；样品位置控制器，其将位于真空室内的样品移动到反应室内；以及分析器，其通过微管连接反应室，分析反应室内产生的气体。该提供的设备可通过维持反应气体的压力和流量来在样品上沉积均匀原子层，并同时沉积和分析原子层。
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公开(公告)号：CN1228470C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03109510.0
申请日：2003-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4558 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积(ALD)反应设备。该提供的设备包括：真空室，其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道；位于真空室内的反应器，其包括反应室和气体分配器，在反应室中，通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反应，而气体分配器位于反应室内以均匀地供给气体；样品位置控制器，其将位于真空室内的样品移动到反应室内；以及分析器，其通过微管连接反应室，分析反应室内产生的气体。该提供的设备可通过维持反应气体的压力和流量来在样品上沉积均匀原子层，并同时沉积和分析原子层。
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公开(公告)号：CN101017667A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610148660.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929
Abstract: 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。
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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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