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公开(公告)号：CN100353556C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410064028.8
申请日：2004-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，它包括具有以预定距离隔开的源区和漏区的半导体衬底，以及形成在衬底上的源区和漏区之间的栅极叠层，栅极叠层的一端接触源区而栅极叠层的另一端接触漏区，其中，栅极叠层包括：隧道层；掺杂以预定第一掺杂杂质、具有比氮化物(Si3N4)膜更高的介电常数的第一俘获材料膜；具有比氮化物膜更高的介电常数的第一绝缘膜；以及栅电极，所有这些膜被顺序淀积到衬底上。本发明还提供了一种能够根据掺杂浓度来有效控制俘获密度的非易失性半导体存储器件，从而在较低的工作电压下提高数据的写入/抹去速度。
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公开(公告)号：CN101005092A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610166977.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了一种在存储节点中包括非晶固体电解质层的电阻存储器装置。该电阻存储器装置包括开关装置和连接到所述开关装置的存储节点。该存储节点包括由二价或多价金属形成的上电极和下电极，以及在上电极和下电极之间的由单价金属形成的非晶固体电解质层和离子源层。
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公开(公告)号：CN1921134A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121211.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李正贤
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/24 , H01L45/04
Abstract: 公开了一种具有离子导电层的非易失性半导体存储器件，及其制造和操作方法。所述非易失性存储器件包括：衬底；形成于衬底内的开关元件；和连接至开关元件的存储节点，所述存储节点包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上并且其部分与下部电极隔开的数据存储层；与下部电极隔开，并且其侧表面连接至与下部电极隔开的数据存储层部分的侧电极；以及形成于数据存储层上的上部电极，或者包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上的数据存储层；以及形成于数据存储层上的上部电极。通过降低电阻随外加电压变化，能够在读取和写入操作中提供足够余量。
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公开(公告)号：CN1763987A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510098148.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/18 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN1738062A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092117.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/92 , H01L27/00 , H01L27/108 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/329 , H01L21/82 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630085A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102185.3
申请日：2004-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/31604 , H01L21/31637 , H01L27/1085 , H01L28/75
Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该半导体器件电容器的方法。该电容器含下电极层、介电层和上电极层，介电层由钽氧化物和周期表第5族元素的氧化物如铌氧化物或钒氧化物形成。因此，能够通过在低的温度下热处理介电层而使介电层具有电特性，并保证整个电容的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN1610120A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410095962.6
申请日：2004-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01G4/10 , H01G4/1272 , H01L21/31604 , H01L27/105 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L28/40 , H01L28/56 , Y10T29/417
Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该电容器的方法以及包括该电容器的存储器件。电容器包括下电极、介质薄膜和上电极。第一反应阻挡膜还形成于下电极和介质薄膜之间。介质薄膜为包括镧系元素的氧化膜(LaO)，而第二反应阻挡膜还可以形成于上电极和介质薄膜之间。在淀积包括镧系元素的氧化膜的工艺中，通过使蒸汽流动并接着使臭氧流过氧化膜来去除杂质。为了控制下电极和介质薄膜之间的反应，第一反应阻挡膜为铪膜或铝膜，其铪膜和铝膜包括半径比氧化镧膜(La2O3)的阳离子半径小的阳离子。
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公开(公告)号：CN1571161A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410064028.8
申请日：2004-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，它包括具有以预定距离隔开的源区和漏区的半导体衬底，以及形成在衬底上的源区和漏区之间的栅极叠层，栅极叠层的一端接触源区而栅极叠层的另一端接触漏区，其中，栅极叠层包括：隧道层；掺杂以预定第一掺杂杂质、具有比氮化物(Si3N4)膜更高的介电常数的第一俘获材料膜；具有比氮化物膜更高的介电常数的第一绝缘膜；以及栅电极，所有这些膜被顺序淀积到衬底上。本发明还提供了一种能够根据掺杂浓度来有效控制俘获密度的非易失性半导体存储器件，从而在较低的工作电压下提高数据的写入/抺去速度。
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公开(公告)号：CN1448533A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03103568.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属－有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β－二酮配体的金属－有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。
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公开(公告)号：CN112923636B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110219861.9
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括形成储藏室的主体以及被设置为打开和关闭所述储藏室的门，其中，所述门包括门框架、盖和门板，所述盖布置在所述门框架之前并且包括盖固定件，所述门板布置在所述盖之前，所述门板包括位于所述门板的后表面上的第一固定件和第二固定件。当所述门板结合到所述盖的前侧时，所述第一固定件结合到所述门框架，并且所述第二固定件结合到所述盖。
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