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公开(公告)号：CN118440083A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410118303.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有电子注入性对水的溶解性低的有机化合物、发光器件、显示装置及电子设备。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，Ar是由通式(Ar‑1)表示的芳香族骨架，L表示亚烷基或亚芳基，n表示0至3的整数，m表示1至4的整数，R1至R12分别独立地表示氢或烷基。在通式(Ar‑1)中，环A、环B、环C及环D分别独立地表示苯环、萘环或菲环，并且环A、环B、环C及环D上的任意m个碳原子具有通式(G1)中的键，X1表示C、Si或Ge，α1表示单键、O、S、具有取代基的C、具有取代基的Si或具有取代基的Ge。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118435359A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084947.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一半导体层、第一半导体层上的具有沟道形成区域的第二半导体层、第二半导体层上的第一导电体及第二导电体、在第二半导体层上并位于第一导电体和第二导电体之间的第二绝缘体、以及第二绝缘体上的第三导电体。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第三导电体覆盖第二半导体层的侧面及顶面。第二半导体层的介电常数比第一半导体层高。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第一半导体层和第二半导体层的界面的长度为1nm以上且20nm以下，从第二半导体层的底面到第三导电体的不与第二半导体层重叠的区域的底面的长度比第二半导体层的膜厚度大。
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公开(公告)号：CN118414014A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410074781.2
申请日：2024-01-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖的发光器件、显示装置、显示模块、电子设备。发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元及第一层，第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，第一单元包含第一发光材料，第一层被夹在第二电极与第一单元之间。第一层包括第二层及第三层，第二层被夹在第三层与第一单元之间，第二层包含第一有机化合物及第二有机化合物，第一有机化合物的酸度系数pKa为8以上，第二有机化合物不包含吡啶环，不包含菲罗啉环或者包含一个菲罗啉环。此外，第三层包含在膜状态下使用电子自旋共振法观测到1×1018spins/cm3以上的自旋密度的材料。
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公开(公告)号：CN118402336A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083475.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G02B5/22 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K59/124 , H10K59/131 , H10K59/38
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层、第一着色层及第二着色层的显示装置，第一发光器件在第一绝缘层上依次包括第一像素电极、第一层及公共电极，第二发光器件在第一绝缘层上依次包括第二像素电极、第二层及公共电极，第一绝缘层包括具有与第一像素电极重叠的区域和与第二像素电极重叠的区域的槽，第二绝缘层与第一层的侧面、第二层的侧面及槽重叠，公共电极包括位于第二绝缘层上的部分，第一着色层与第一发光器件重叠，第二着色层与第二发光器件重叠并使与第一着色层不同颜色的光透过，第一层及第二层包含同一发光材料且彼此分开。
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公开(公告)号：CN118402105A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083138.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/70 , H01G11/78 , H01G11/86 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/66 , H01M50/105
Abstract: 由于充电或放电时的弯曲导致正极或负极的相对错位，由此导致分布不均匀和电位偏差。作为负极不使用石墨而使用锂金属膜。通过蒸镀法或溅射法在负极集流体的一个面上沉积锂金属膜并以两个负极集流体的没有进行沉积的面彼此接触的方式构成叠层体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112510096B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202011128796.0
申请日：2012-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN118355442A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080356.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/14 , G06F1/3287
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一组件；第二组件；以及指令部，其中，第一组件包括具有在被供电的状态下储存第一设定信息的功能的第一存储电路以及具有在不被供电的状态下储存第一设定信息的功能的第二存储电路，第二组件包括具有在被供电的状态下储存第二设定信息的功能的第三存储电路以及具有在不被供电的状态下储存第二设定信息的功能的第四存储电路，指令部具有控制是否对第一组件和第二组件的每一个供电的功能，并且，第二存储电路及第四存储电路都包括在形成沟道的半导体层中包含金属氧化物的晶体管。
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公开(公告)号：CN118284849A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077740.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/13357 , G02F1/1343
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。使用有机绝缘层(52)填充起因于用来电连接布线(33)与像素电极(41)的接触孔(50)的台阶来消除该台阶，在平坦的像素电极的顶面上形成取向膜(45a)，由此减少液晶层(40)的取向不良。此外，将具有透光性的材料用于在接触孔(50)的底部露出的布线(33)。由此，可以增加液晶器件中的对显示有效的区域。也就是说，可以实现开口率高的显示装置。
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公开(公告)号：CN118281077A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410375798.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L27/15 , G09F9/35 , G02F1/1333 , G02F1/13357 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。
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公开(公告)号：CN118255770A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311790110.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D487/04 , H10K50/17 , H10K85/10 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子注入性并且对水的溶解度低的有机化合物。提供一种发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由通式(G1)所示的有机化合物。X为由下述通式(X‑1)所示的基，Y为由下述通式(Y‑1)所示的基。Ar表示成环碳原子数为2至30的杂芳烃基或成环碳原子数为6至30的芳烃基，R1及R2分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，h表示1至6的整数。在通式(X‑1)及(Y‑1)中，R3至R6分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，m表示0至4的整数，在m为0、1、3或4时，n表示1至5的整数，在m为2时，n表示1、2、4或5。在m或n为2以上的情况下，多个R3既可以彼此相同也可以彼此不同，R4、R5及R6也是同样的。#imgabs0#
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