公开(公告)号：CN100438418C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510078547.4

申请日：2005-06-02

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： H·施米特 ,  M·汉斯 ,  M·贝克曼恩

IPC: H04L12/18 ,  H04L29/06

CPC classification number: H04M3/56 ,  H04L12/1822 ,  H04L29/06027 ,  H04L65/1006 ,  H04L65/1016 ,  H04L65/1093 ,  H04L65/4038 ,  H04L65/4046 ,  H04M2203/5009 ,  H04W4/08 ,  H04W8/186

Abstract: 本发明涉及通信系统、通信终端设备、会议控制单元、通信系统控制方法、通信终端设备控制方法及会议控制单元控制方法。一种具有一个会议服务器及一个会议控制单元的通信终端设备，一个呼叫控制协议信息会被传送到该会议控制单元，让会议控制单元能够判定是否应将一个通信终端设备加到一个会议中，及/或是否应创造一个会议，及/或是否应结束一个会议，及/或是否应将关于至少一个由会议服务器管理的会议资料传送到一个通信终端设备。

公开(公告)号：CN100433712C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510079101.3

申请日：2005-06-24

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： F·赫特根 ,  P·阿斯彻尔

IPC: H04L12/56

Abstract: 本发明是关于一种由无线接收数据封包的接收装置(1)，其具有存储器(4)，其中得自经接收数据封包的值输入该存储器(4)且该值由其送出以用于进一步处理，及一种调节单元(6)以调节该存储器(4)的填充位准于标称填充位准，以该调节单元(6)控制每个接收数据封包进入该存储器(4)的值的数目以为该填充位准的函数。本发明亦涉及相对应设计的发射装置。

公开(公告)号：CN100433319C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200480023338.3

申请日：2004-07-21

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： S·德勒克斯尔 ,  T·格贝尔 ,  J·赫尔内德 ,  M·霍梅尔 ,  W·克莱因 ,  H·克尔纳 ,  A·米切尔 ,  M·施维尔德 ,  M·泽克

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种连接装置，它包括外导电结构(44)，其至少部分地或完全地被放置在不导电的绝缘层(34、36)的切口(recess)(37)中。在切口(37)的底部，在绝缘层(34、36)的一侧上放置内导电结构(22)，并且在接触区域中，它邻接外导电结构(44)。在切口(37)的另一侧上的外导电结构(44)上设置接触表面。接触区域和接触表面彼此不重叠或仅部分重叠。当以法线方向观察时，切口(37)的底部以这种方式布置，即它至少重叠接触表面的一半或其全部，这样使绝缘层(34、36)中的阶梯位于主电流通路外面的切口(37)的边缘上，该主电流通路在接触表面和内导电结构(22)之间延伸。

公开(公告)号：CN100429875C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN01817298.9

申请日：2001-09-06

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： 杨本

IPC: H04B7/005 ,  H03G3/30

CPC classification number: H03G3/3052 ,  H03G3/3036 ,  H04B17/318 ,  H04L25/0202

Abstract: 本发明涉及高度时变移动无线信道的信号强度补偿。一种移动无线接收器的信号强度补偿单元，其上行连接至信道预测器及信道均衡器，且特别是用来补偿数据序列内部的大幅、短暂信号强度波动。为达此目的，本发明利用先前接收数据符号的信号强度，决定信号强度平均值。然后，再将目前信号与信号强度平均值校准。本发明的信号强度补偿可以让数据均衡化期间的误比特率大幅降低。

公开(公告)号：CN100428519C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200380105069.0

申请日：2003-11-27

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： F·霍夫曼恩 ,  F·克罗伊普

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/0011 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明是关于一种记忆胞元的制造方法、一种记忆胞元与一种记忆胞元装置。根据本发明之记忆胞元制造方法，于一基板中及/或上形成一第一电传导区域，亦于距离该第一电传导区域一预定距离处形成一第二电传导区域，以使该第一与该第二电传导区域间形成一凹穴。该第一与该第二电传导区域皆配置为当施加一第一电压至该等电传导区域时，可自该等电传导区域至少其中之一形成一结构，该结构至少部分桥接该等电传导区域间的距离；当施加一第二电压至该等传导区域时，至少部分桥接该等电传导区域间距离的结构之材料则会回缩。

公开(公告)号：CN101286517A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810100510.0

申请日：2003-10-10

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·布雷德洛 ,  J·哈特维奇 ,  C·帕查 ,  W·雷斯纳 ,  T·舒尔滋

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/84 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1211 ,  H01L27/13 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。

公开(公告)号：CN100423263C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200380103750.1

申请日：2003-11-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： M·希尔勒曼恩 ,  R·斯特拉斯塞

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/102 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1087

Abstract: 本发明是关于一种场效应晶体管结构、一种相关的半导体存储单元以及一种相关的制造方法。为实现一二极管(D)，于具有一场效应晶体管结构(S/D，3，K)的一半导体衬底(1)上形成一二极管掺杂区域(4)，而一电传导二极管连接层(5)则连接所述场效应晶体管结构的一控制层(3)与所述的二极管掺杂区域(4)。通过这样的方式，便能够消除在所述半导体衬底(1)上的多余电荷载流子(L)，因而可避免不需要的本体效应。

公开(公告)号：CN100423119C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN02810668.7

申请日：2002-05-22

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： S·赛勒斯安 ,  M·A·鲁格

IPC: G11B20/14 ,  G11B20/10

CPC classification number: G11B20/10055 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/1403 ,  H03K5/15013 ,  H03K2005/00286

Abstract: 本案系为用于一PRML读/写频道设计之一多相时钟之一高速零相再激活。该零相再激活系包括一输入，用于接收复数个时钟脉冲波(402)，其中每一时钟脉冲波系具有实质上相等之周期并系相关于其它时钟脉冲波而有不同相位；一输出，其系包括至少一对应于该时钟脉冲波其中之一之输出终端；以及一零相电路，其系建构以相继地耦接该复数个时钟脉冲波至该对应之输出终端(404、406、408)。

公开(公告)号：CN100416579C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510104094.8

申请日：2005-09-19

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： S·雷多塔 ,  J·劳彻

IPC: G06F17/50

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G06F17/5068 ,  H01L27/11898

Abstract: 一种集成电路，其包含一埋入式可切换功率环，用以提供功率给排列在所述的可切换功率环(13)内部的电路模块(15.1、15.2、…、15.5)。所述的可切换功率环(13)包含一切换控制单元(20)，用以产生一开启/关闭控制信号，以及多个由开启/关闭控制信号所控制的切换功率单元(30)，用以提供一切换电流以作为所述的电路模块(15.1、15.2、…、15.5)的功率供应。所述的多个切换功率单元(30)以一环状型态排列在所述的集成电路(2’)上。

公开(公告)号：CN100409596C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200410087786.1

申请日：2004-10-28

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： S·鲍尔 ,  T·鲁普里奇

IPC: H04B7/26

Abstract: 一种用于在一电子信号处理装置中调适阈值的方法，其是关于多个不同的阈值的计算及该阈值与该信号处理装置中所计算的处理变量的比较，该方法包含其对于不同的阈值是有效的一公共校正值(G)的计算。而后该阈值乃以该公共校正值为基础而设定。