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公开(公告)号：CN100468621C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200380101541.3
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/1211 , H01L27/13 , H01L28/60 , H01L29/66795
Abstract: 本案提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，较佳者为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
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公开(公告)号：CN101286517B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810100510.0
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L21/84 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/1211 , H01L27/13 , H01L28/60 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
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公开(公告)号：CN101286517A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810100510.0
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L21/84 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/1211 , H01L27/13 , H01L28/60 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557803C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200380101668.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
CPC classification number: H01L27/1085 , H01L21/84 , H01L27/10805 , H01L27/1203
Abstract: 本发明说明了一种集成电路装置(140)，尤其是一种含有一较佳平面式晶体管(142)与一电容器(144)的集成电路装置(140)，该电容器(144)的底部电极与该晶体管(142)的一沟道区域共同排列在一SOI基板中，该电路装置(140)易于制造且具有绝佳的电子特性。
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公开(公告)号：CN1706045A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101668.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
CPC classification number: H01L27/1085 , H01L21/84 , H01L27/10805 , H01L27/1203
Abstract: 本发明说明了一种集成电路装置(140)，尤其是一种含有一较佳平面式晶体管(142)与一电容器(144)的集成电路装置(140)，该电容器(144)的底部电极与该晶体管(142)的一信道区域共同排列在一SOI基板中，该电路装置(140)易于制造且具有绝佳的电子特性。
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公开(公告)号：CN100433333C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200380109840.1
申请日：2003-12-18
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
Inventor： L·德里斯科恩菲尔德 , J·哈特维奇 , F·霍夫曼恩 , J·克雷茨 , M·斯佩奇特
IPC: H01L27/115 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
Abstract: 本案涉及鳍式场效应晶体管存储单元(200)，鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储单元包含一第一(201)与第二(202)源极/漏极区域以及一栅极区域。鳍式场效应晶体管存储单元更包含围绕在所述第一及第二源极/漏极区域间的沟道区域的一半导体鳍状物(204)。而第一电荷储存层(207，208)，则至少设于所述栅极区域的一部份中。字符线区域(205，206)则排列在所述电荷储存层的至少一区段中。所述电荷储存层乃经过设计，因此可藉由对所述鳍式场效应晶体管存储单元施加预定电位而选择性地将电荷载流子导入所述电荷储存层或将电荷载流子自所述电荷储存层移除。
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公开(公告)号：CN1751392A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200380109840.1
申请日：2003-12-18
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
Inventor： L·德里斯科恩菲尔德 , J·哈特维奇 , F·霍夫曼恩 , J·克雷茨 , M·斯佩奇特
IPC: H01L27/115 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
Abstract: 本案涉及鳍式场效应晶体管存储单元(200)，鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储单元包含一第一(201)与第二(202)源极/漏极区域以及一栅极区域。鳍式场效应晶体管存储单元更包含围绕在所述第一及第二源极/漏极区域间的沟道区域的一半导体鳍状物(204)。而第一电荷储存层(207，208)，则至少设于所述栅极区域的一部分中。字符线区域(205，206)则排列在所述电荷储存层的至少一区段中。所述电荷储存层乃经过设计，因此可藉由对所述鳍式场效应晶体管存储单元施加预定电位而选择性地将电荷载子导入所述电荷储存层或将电荷载子自所述电荷储存层移除。
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公开(公告)号：CN1706027A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101541.3
申请日：2003-10-10
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/1211 , H01L27/13 , H01L28/60 , H01L29/66795
Abstract: 本案提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，较佳者为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一信道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
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