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公开(公告)号：CN101768777B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910266368.1
申请日：2009-12-24
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , Y10T428/24942 , Y10T428/2822 , Y10T428/31855
摘要： 本发明提供可以在器件制造过程中同时抑制滑移位错和翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。根据本发明的硅晶片是具有八面体BMD的硅晶片。位于比距该硅晶片表面20μm的深度更浅的位置处且对角线长度为200nm以上的BMD的浓度为2×109/cm3以下，而位于比50μm的深度更深的位置处且对角线长度为10nm以上至50nm以下的BMD的浓度为1×1012/cm3以上。
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公开(公告)号：CN103237930A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056597.6
申请日：2011-12-05
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L21/02664 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要： 提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
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公开(公告)号：CN103223406A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310031343.X
申请日：2013-01-28
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本申请提供了一种允许待清洗物体不具有未直接暴露给超声波的区域的清洗装置、仪器和方法。解决手段是一种清洗装置1包括清洗槽2、耦合槽3、超声波产生单元6和变更单元7。清洗槽2保持用于清洗作为待清洗物体的基板10的清洗液4。耦合槽3保持中间介质5，并且清洗槽2具有与中间介质5接触的部分。超声波产生单元6设置在耦合槽3处，并且经由中间介质5超声振荡清洗液4。变更单元7变更清洗液4中的声速和中间介质5中的声速之间的差别。
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公开(公告)号：CN103173854A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310080898.3
申请日：2007-10-30
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/12 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02579 , C23C16/4585 , C30B25/12 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02634 , H01L21/68735 , Y10T428/24612
摘要： 本发明涉及用于制造经外延涂覆的半导体晶片的方法，其中制备多个至少在其正面上抛光的半导体晶片，并且均依次单独通过化学气相沉积法在外延反应器内于800至1200℃的温度下将外延层施加到其经抛光的正面上而通过以下步骤进行涂覆：分别将一片所制备的半导体晶片支撑在根据本发明的装置上，从而使该半导体晶片位于该环上，该半导体晶片的背面朝向具有透气性结构的基座的底部，但是不接触该基座，从而通过气体扩散使气态物质从该半导体晶片的背面上方的区域透过该基座导入基座的背面上方的区域内，此外该半导体晶片仅在其背面的边缘区域内与该环相接触，其中在半导体晶片内完全不会产生利用光弹性应力测量法（“SIRD”）可测的应力。
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公开(公告)号：CN101927455B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010158651.5
申请日：2010-04-07
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B24B37/04 , C09G1/02 , B24B37/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
摘要： 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。
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公开(公告)号：CN102990505A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210342017.6
申请日：2012-09-14
申请人： 硅电子股份公司
发明人： J·施万德纳
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16 , B24B37/26 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及半导体晶片双面抛光的方法，其中在每种情况下抛光垫表面均被从中心向边缘螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷所中断。通过在两个面上提供抛光剂、局部单独可调节的抛光剂的量及改进的载板，可以实现优化的抛光剂分布，特别是在半导体晶片直径为450mm的情况下。
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公开(公告)号：CN101532174B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910008161.4
申请日：2009-03-09
申请人： 硅电子股份公司
发明人： W·V·阿蒙
IPC分类号： C30B29/06
摘要： 本发明涉及含氟的单晶硅半导体晶片，其中氟浓度为1×1010至1×1016个原子/cm3，并且不含有直径大于或等于临界直径的团聚的本征点缺陷。本发明还涉及用于制造单晶硅半导体晶片的方法，该方法包括提供用氟掺杂的硅熔体，并以一定的速率使该熔体结晶形成含有1×1010至1×1016个原子/cm3的氟的单晶，在该速率下若省略作为掺杂剂的氟则产生具有临界直径或更大直径的团聚的本征点缺陷，以及由该单晶分离出半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102877123A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210241518.5
申请日：2012-07-12
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B30/04 , C30B35/00 , H05B3/40 , Y10T117/1068
摘要： 本发明涉及一种用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器，其包含：上部环和下部环，它们通过邻接所述下部环的环间隙的回线而导电连接，以使通过环传导的电流的流动方向在所述环中是相反的；以一定距离将所述上部环与下部环固定在一起的连接元件；和引导电流通过所述上部环和下部环的电线。
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公开(公告)号：CN101676440B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910170455.7
申请日：2009-08-26
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/30 , Y10T117/1072
摘要： 本发明涉及一种用于从熔体中提拉单晶的装置，所述单晶在上颈部和下颈部之间具有加宽部。装置包括具有用于缠绕提拉缆线的缆线鼓的提拉装置以及用于对单晶上颈部的重量减载的支承装置。支承装置包括支承环，所述支承环具有开口并且具有固定在支承环上的抓持夹具，所述抓持夹具互相相对并且可以关于所述轴承轴枢转，其中所述抓持夹具可以从等待位置执行双向枢转运动进入保持位置中，在保持位置中抓持夹具延伸到所述开口中并且在所述加宽部下面；缆线鼓，所述缆线鼓在所述抓持夹具的轴承轴的两侧上用于缠绕承载缆线和固定在所述抓持夹具上的辅助缆线；并且用于改变所述辅助缆线的缆线路径的辅助辊，由此所述抓持夹具可以作枢转运动。
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公开(公告)号：CN101814449B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010125922.7
申请日：2010-02-25
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： C30B33/02 , C30B35/00 , H01L21/67248 , H01L21/67259
摘要： 本发明涉及在利用红外发射器加热的对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片的错误位置的方法，其中半导体晶片位于旋转的基座的圆形凹槽内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片的位置错误。在此，高温计的取向使得由高温计检测的测量斑部分地位于半导体晶片上并且部分地位于半导体晶片以外的基座上。以此方式可以鉴别半导体晶片在基座的凹槽内的偏心位置。
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