公开(公告)号：CN107078049B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201580049735.6

申请日：2015-10-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西村荣一 ,  大秦充敬

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

公开(公告)号：CN113823734A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110742693.1

申请日：2021-07-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 ,  王良玮 ,  陈殿豪

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

摘要： 一种存储器装置的制造方法，包括在基板中形成导孔沟槽，并在导孔沟槽中形成导孔。导孔的下部包括第一金属，导孔的上部包括与第一金属不同的第二金属。此方法还包括在导孔上方形成磁性穿隧接面，并在磁性穿隧接面上方形成顶电极。

公开(公告)号：CN108232005B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201611129951.4

申请日：2016-12-09

申请人： 上海磁宇信息科技有限公司

发明人： 张云森 ,  肖荣福

IPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： 本发明公开了一种横向修剪缩微磁性隧道结图案的方法，包括：第一步骤：在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；第二步骤：形成磁性隧道结图案，并采用横向修剪工艺对磁性隧道结图案进行修剪缩微；第三步骤：对牺牲掩膜层和硬掩模膜层进行刻蚀，并采用横向修剪工艺对继续磁性隧道结图案进行修剪以获得更精细尺寸的磁性隧道结掩模；第四步骤：对磁性隧道结多层膜进行刻蚀，以完成磁性隧道结的小型化制作。

公开(公告)号：CN113793898A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111071368.3

申请日：2021-09-13

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 赵旭鹏 ,  孙宏利 ,  赵建华

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 一种具有半金属性的补偿亚铁磁薄膜，包括：基片(1)，平滑层(2)，生长于基片(1)上，为磁性层(3)提供良好的界面和晶格匹配，磁性层(3)，生长于平滑层(2)上，具有半金属性和补偿亚铁磁性，覆盖层(4)，生长于磁性层(3)上，具有保护薄膜的作用。本公开还提供了该补偿亚铁磁薄膜的制备方法。该补偿亚铁磁薄膜具有半金属性和补偿亚铁磁性，具有低净磁矩和高自旋极化度等优越性质，在自旋电子学领域具有很大的发展前景。

公开(公告)号：CN113764577A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110590770.6

申请日：2021-05-28

申请人： 格芯新加坡私人有限公司

发明人： 张淑禧 ,  陈福南 ,  N·蒂亚加拉亚 ,  孙永顺

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

摘要： 本发明涉及磁隧道结结构及集成方案。提供了一种存储器器件，该存储器器件包括位于电介质层中的接触柱。可以在接触柱上方设置磁隧道结。可以在磁隧道结的侧壁上设置在电介质层的水平表面上方延伸的阻挡层。可以在阻挡层上方设置间隔物。

公开(公告)号：CN113745402A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202010473013.6

申请日：2020-05-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 郑二虎 ,  王胜

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

摘要： 一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：对第二金属层露出的绝缘材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成绝缘结构，绝缘结构包括绝缘侧部和绝缘层；对第二金属层和绝缘结构露出的第一金属材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成第一金属结构，所述第一金属结构包括第一金属侧部和第一金属层；去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部。本发明中绝缘层形成在第一金属层和第二金属层之间，绝缘侧部形成在第一金属侧部和第二金属侧部之间，从而绝缘结构将第一金属结构和第二金属结构电隔离，在去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部后，剩余的绝缘结构仍能够电隔离第一金属结构和第二金属结构，使得半导体结构具有优良的电学性能。

公开(公告)号：CN113707805A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010432545.5

申请日：2020-05-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 夏文斌

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一导电层，且所述第一介质层表面暴露出所述第一导电层顶部表面；在所述第一介质层表面形成牺牲结构，所述牺牲结构内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口，且所述开口的顶部在基底表面上的投影图形，位于所述开口的底部在基底表面上的投影图形内；在所述开口内的第一导电层顶部表面、以及牺牲结构顶部表面形成初始磁隧道结；去除所述牺牲结构顶部表面的初始磁隧道结，在所述第一导电层顶部表面形成磁隧道结。所述方法提高了形成的半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN113690367A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110945620.2

申请日：2021-08-17

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 杨美音 ,  罗军

IPC分类号： H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

摘要： 本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且位于磁性隧道结两侧的第一铁磁层和第二铁磁层，第一铁磁层和第二铁磁层均具有面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。

公开(公告)号：CN113053942B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110276692.2

申请日：2021-03-15

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 施辉 ,  张海良 ,  徐何军 ,  曹利超 ,  王印权 ,  吴建伟 ,  洪根深 ,  贺琪

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L27/28 ,  H01L43/08 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

摘要： 本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法，属于存储器制造技术领域，所述高抗辐射磁随机存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；磁性隧道结存储单元，所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由金属缓冲层、反铁磁层、铁磁层、氧化物势垒层、铁磁层、氧化物保护层和金属保护层自下而上堆叠组成，并通过金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。提高了磁随机存储器的抗辐射性能。

公开(公告)号：CN113644003A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110915217.5

申请日：2021-08-10

申请人： 致真存储(北京)科技有限公司

发明人： 吕术勤 ,  陈文静 ,  刘宏喜 ,  曹凯华 ,  王戈飞

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开了一种已图形化的磁性隧道结晶圆的磁阻测试结构及其使用方法，涉及已图形化磁性隧道结晶圆磁阻测试领域，包括：磁隧道结通孔，磁隧道结，pad测试点以测试及引线。所述测试结构与产品器件集成在同一张版图中在所述待作业晶圆上共同完成流片制程。所述结构将磁隧道结利用不同间距的通孔，通过测试引线连接外接测试pad点位，根据需求筛选确定通孔间距并进行多组磁隧道结阻值测量，最终拟合得到MR和RA值。此测试过程期间可降低测试过程中带来的器件击穿等引起的测量数据失真的风险，同时由于多测试点位排列组合的关系，可以实现对需求MR和RA值更精确的拟合，利于对图形化晶圆制备过程中MR值等核心参数的准确监控。