公开(公告)号：CN112490317A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011354294.X

申请日：2020-11-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  李康华 ,  陈超 ,  牛广达 ,  卢岳 ,  杨许可 ,  林雪甜

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器及其制备方法，属于光电材料及光电探测器制备领域，探测器从下至上依次包括：基底、硒化镉薄膜、P型吸光层和金属电极；硒化镉薄膜的厚度不小于1μm；P型吸光层的光谱吸收带边大于710nm。制备方法包括：(S1)在基底上沉积厚度不小于1μm的硒化镉薄膜；(S2)在硒化镉薄膜上沉积P型吸光层；(S3)在P型吸光层上沉积金属电极，从而得到基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器。本发明能够实现波长大于710nm的近红外窄带探测，并且结构简单，成本较低。

公开(公告)号：CN112490298A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011355151.0

申请日：2020-11-26

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  李康华 ,  陈超 ,  牛广达 ,  林雪甜 ,  卢岳 ,  杨许可

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种硒化镉类单晶薄膜制备方法、太阳能电池制备方法及产物，属于光电材料领域，薄膜制备方法包括：(S1)将导电基底加热至第一预设温度并维持第一预设时间；(S2)以硒化镉粉末为蒸发源，将蒸发源加热至第二预设温度后，利用快速热蒸发法在导电基底上沉积得到晶体取向单一的硒化镉薄膜；在此基础上，太阳能电池制备方法包括：(T1)活化导电基底上沉积的硒化镉薄膜；(T2)在硒化镉薄膜的表面旋涂一层高分子空穴收集层；(T3)在高分子空穴收集层的表面旋涂一层Cu基空穴收集层；(T4)在Cu基空穴收集层的表面沉积顶电极。本发明制备的硒化镉薄膜可以很好地应用于制备叠层太阳能电池，并且可应用于大规模量产。

公开(公告)号：CN110277468B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201910561872.8

申请日：2019-06-26

申请人： 山东大学

发明人： 杨志远 ,  赵莉莉 ,  张飒飒 ,  赵显 ,  左致远 ,  李志强 ,  程秀凤

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法，该方法在半导体衬底上镀复合金属，然后合金化，通入碳源气体，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，制备出大尺寸高品质石墨烯，再利用CVD法制备出较大面积的碲化物，形成范德瓦耳斯异质结；通过微电子器件工艺制作碲化物基背栅场效应晶体管，然后器件经过退火处理得到大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器。本发明的制备方法可以避免传统CVD方法转移过程中对二维材料的破坏，能够得到质量更好的范德瓦耳斯异质结，从而使得近红外光电探测器质量更好、更稳定，并且得到的器件具有显著的光响应，具有较高的比探测率、响应率以及快的探测速度。

公开(公告)号：CN109817757B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910049102.5

申请日：2019-01-18

申请人： 中国空间技术研究院

发明人： 郭楠 ,  贾怡 ,  常慧聪 ,  肖林

IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法，该光电探测器为纳米材料结型场效应晶体管光电探测器，具体是指将p型的二硒化钨(WSe2)薄片和n型的氧化锌(ZnO)纳米带接触形成p‑n结，同时WSe2薄片作为感光材料连接在顶栅电极与ZnO纳米带导电沟道之间。WSe2薄片受光激发产生光生载流子形成导电通道，顶栅电压通过该导电通道施加到p‑n结处，调节ZnO纳米带中耗尽区的宽度来实现沟道电导的调节，提高器件的光增益和响应速度。

公开(公告)号：CN112125286A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010989392.4

申请日：2020-09-18

申请人： 先导薄膜材料(广东)有限公司

发明人： 李德官 ,  朱刘 ,  文崇斌 ,  胡智向 ,  杨浩 ,  朱卓南

IPC分类号： C01B19/04 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 本公开提供一种掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法。掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法包括以下步骤：步骤S1，混合硒粒、镉粒、砷或其化合物的颗粒，得到混合物料；步骤S2，将混合物料放入石英管中并在真空环境中将石英管封管，然后进行加热处理，冷却，制得掺砷或其化合物的硒化镉初料；步骤S3，将掺砷或其化合物的硒化镉初料进行破碎筛分，得到的掺砷或其化合物的硒化镉初料粉末经氢化除杂，制得掺砷或其化合物的硒化镉产品。使用根据掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法制备得到的掺砷或其化合物的硒化镉取代硫化镉作为碲化镉薄膜太阳能电池中的n型薄膜层，能够提高p‑n结的电势差。

公开(公告)号：CN112071949A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010771531.6

申请日：2020-08-04

申请人： 深圳大学

发明人： 曹培江 ,  王庆 ,  栾迪 ,  吕有明 ,  朱德亮 ,  柳文军 ,  韩舜 ,  刘新科 ,  许望颖 ,  方明 ,  曾玉祥

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0296 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

摘要： 本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。

公开(公告)号：CN111916524A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010716183.2

申请日：2020-07-22

申请人： 华中科技大学

发明人： 孙博 ,  张许宁 ,  廖广兰 ,  王子奕 ,  刘智勇

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。

公开(公告)号：CN107634075B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201710746185.4

申请日：2017-08-26

申请人： 北京工业大学

发明人： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  薛晓玮 ,  邹德恕

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

摘要： 柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片，涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列，每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜，其上为金属电极薄膜。所述ZnO薄膜为ZnO纳米线生长的种子层。作为感光部分的纳米材料ZnO纳米线阵列在ZnO薄膜的侧壁自组织生长，桥接于两电极之间。紫外光由衬底背面入射。本发明以柔性材料为衬底，具有良好的柔韧性。同时，器件层结构简单，采用ZnO纳米材料，设计灵活，可实现高度的均匀性及探测效率。

公开(公告)号：CN111863985A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010351660.X

申请日：2020-04-28

申请人： 光子科学研究所基金会 ,  卡塔拉纳调查及高级研究学院

发明人： 耶拉西莫斯·康斯坦塔投斯 ,  伊尼戈·拉米罗 ,  奥努尔·厄兹德米尔

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种用于获得经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜的方法，所述方法包括：形成金属硫属化合物量子点固态膜；对金属硫属化合物量子点固态膜的多个金属硫属化合物量子点实施n型掺杂工艺以使其表现出带内吸收，所述工艺包括在多个金属硫属化合物量子点中用卤素原子部分取代硫属元素原子，以及在多个金属硫属化合物量子点上设置一物质以避免金属硫属化合物量子点的氧p型掺杂。本发明还涉及一种光电子器件，所述光电子器件包括：根据所述方法获得的经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜(A)；和与该膜(A)的两个相应的间隔开的区域物理接触的第一电极(E1)和第二电极(E2)。

公开(公告)号：CN108603277B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201780009636.4

申请日：2017-02-03

申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 ,  CTF太阳能有限公司

发明人： H.莫格纳 ,  C.梅茨纳 ,  D.希尔施 ,  O.齐维茨基 ,  L.德克 ,  T.维尔纳 ,  B.西普兴 ,  B.施珀特 ,  K.韦拉潘 ,  C.克拉夫特 ,  C.德罗斯特

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/56 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/20 ,  C23C14/00 ,  C23C16/30

摘要： 本发明涉及用于通过物理气相沉积在真空室（1）内将CdTe‑层沉积在基材（2）上的方法，其中将基材（2）在沉积过程之前加热至涂覆温度和然后沿着至少一个容器（3）传送，在该容器中将CdTe（4）转化为蒸气状态，其中通过至少一个入口（5）将气态组分以（相对于真空室中的真空）提高的压力流向基材（2）的待涂覆的表面，从而在将基材（2）沿着至少一个容器（3）传送之前，将所述气态组分吸附在基材（2）的待涂覆的表面上。