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公开(公告)号：CN116442227A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310443227.2
申请日：2023-04-18
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提出液压驱动移动作业机器人的末端接触力控制方法，涉及机器人力控制领域。包括定义坐标系，描述四足机器人的状态；基于四足机器人的状态，考虑机械臂作业末端的力和扭矩的运动学接触约束，同时考虑机器人足端接触约束，得到基于接触约束的机器人浮动基座动力学模型；将交互作业任务分解为运动控制子任务和力控制子任务，得到规划出的期望输出；定义控制系统的决策变量，确定系统实际输出关于决策变量的线性关系表达式；设计控制架构，求解决策变量，调节控制决策变量使系统实际输出趋向于期望输出；基于求解出的决策变量对机器人进行力控制。本发明通过腿足浮动基座的输出力，实现作业末端的力/运动混合控制。
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公开(公告)号：CN114059078A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110615893.0
申请日：2021-06-02
申请人： 山东大学
IPC分类号： C25B1/04 , C25B11/091
摘要： 本发明涉及一种压电增强光电催化剂的制备方法，该方法首先制得光催化剂和压电材料的前驱体凝胶，将前驱体凝胶旋涂在导电衬底上，加热使其形成压电材料与光催化剂的异质结，然后负载电催化剂，负载了电催化剂(共催化剂)前驱体，再进行退火处理形成光电催化系统，最后进行小电压的极化处理，得到的光电催化剂能产生超强局域场使得光电催化系统的光电产氧性能大大提升，解决了现办法分解水产氧电流小，效率低的问题。
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公开(公告)号：CN107673332B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710843089.1
申请日：2017-09-18
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明涉及一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法，该方法在泡沫镍上镀一层铜(或在泡沫铜上镀一层镍)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在智能复合金属薄膜表面生长出石墨烯，利用智能复合金属薄膜来控制石墨烯的层数，制备出高品质、大面积3D石墨烯。解决了传统CVD方法制备3D石墨烯存在的层数难以控制和覆盖不全的问题，能够得到质量更好的3D石墨烯。
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公开(公告)号：CN110277468A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910561872.8
申请日：2019-06-26
申请人： 山东大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法，该方法在半导体衬底上镀复合金属，然后合金化，通入碳源气体，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，制备出大尺寸高品质石墨烯，再利用CVD法制备出较大面积的碲化物，形成范德瓦耳斯异质结；通过微电子器件工艺制作碲化物基背栅场效应晶体管，然后器件经过退火处理得到大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器。本发明的制备方法可以避免传统CVD方法转移过程中对二维材料的破坏，能够得到质量更好的范德瓦耳斯异质结，从而使得近红外光电探测器质量更好、更稳定，并且得到的器件具有显著的光响应，具有较高的比探测率、响应率以及快的探测速度。
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公开(公告)号：CN107673332A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710843089.1
申请日：2017-09-18
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明涉及一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法，该方法在泡沫镍上镀一层铜(或在泡沫铜上镀一层镍)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在智能复合金属薄膜表面生长出石墨烯，利用智能复合金属薄膜来控制石墨烯的层数，制备出高品质、大面积3D石墨烯。解决了传统CVD方法制备3D石墨烯存在的层数难以控制和覆盖不全的问题，能够得到质量更好的3D石墨烯。
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公开(公告)号：CN104404620B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410718225.0
申请日：2014-12-01
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法。该方法包括：将6H/4H‑SiC晶片硅面和碳面进行抛光、清洗，将加工好的6H/4H‑SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托架上，碳面朝下；升温至1200‑1300℃，通氩气和氢气，然后升温至1400‑1450℃，保温10‑15min；关闭氢气，继续通氩气，并通入含硅气体，升温至1500‑1600℃，保温10‑30min，完成双面石墨烯的生长；继续通氩气，压力控制在800‑900mbar，降温至800‑900℃；关闭气源。本发明的生长方法使得SiC外表面均覆盖石墨烯，导热性能增加，有利于器件稳定工作；可用于制作传感器或电容器的材料。
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公开(公告)号：CN106637393A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN104695012B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510128458.X
申请日：2015-03-24
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法。该装置包括：壳体和顶盖，顶盖内设带布气管的气体喷头，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；反应腔体由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体内部的石墨坩埚组成，石墨坩埚用于放置SiC晶片衬底；石墨发热体外有冷却水系统、中频线圈；壳体底部有出气口。本发明还提供利用该装置在SiC衬底上制备大尺寸高质量石墨烯单晶的方法。采用本装置及生长方法，在SiC衬底上制得高质量的石墨烯晶体，其迁移率比SiC高温热解方法制备的石墨烯提高近1～2个数量级。
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公开(公告)号：CN117519128A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311345065.5
申请日：2023-10-17
申请人： 山东大学
摘要： 本公开提供了基于环境可通过性分析的四足机器人路径规划方法及系统，涉及移动机器人环境感知技术与导航技术领域，包括构建始终以四足机器人为中心的局部栅格高程地图；将地图每个栅格的表面法向量和高度差作为局部区域的几何特征评估每个栅格的可通过性，获取每个栅格的可通过值；将每个栅格的可通过值映射为占用概率值，获取以四足机器人为中心的可通过性地图，基于可通过性地图，利用可通过性地图的快速搜索随机树算法实现对四足机器人的路径规划，获取一条在起始位置与期望位置之间的无碰撞路径，基于PID控制跟踪方法控制四足机器人自主导航运动。本公开能够使四足机器人可以自主地安全地到达目标点。
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公开(公告)号：CN109573991B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811625245.8
申请日：2018-12-28
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194
摘要： 本发明涉及一种利用复合金属模板制备阵点厚度不同石墨烯阵列的方法，该方法用掩模版在铜箔上镀金属镍阵列(或在镍箔上镀金属铜阵列)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金阵列，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在复合金属薄膜表面生长出石墨烯阵列，利用复合金属薄膜来控制不同区域石墨烯的层数，制备出高品质的中间厚边缘薄石墨烯阵列或中间薄边缘厚的石墨烯阵列，解决了现有方法得到石墨烯阵列每个阵点厚度均匀的问题，满足了加速度传感器、压力传感器等应用对石墨烯的特殊需要，能够得到高质量的石墨烯阵列。
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