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公开(公告)号：CN106637393A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106517165B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106517165A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
CPC分类号： C01B2204/04 , C01P2002/82 , C01P2004/04
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H-SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si-C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106521618B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610975636.7
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气，降温至1400～1500℃，保温；氩气氛围降温至800℃～1100℃，将微细导热探针放在SiC衬底上，形成局部过冷点；通入碳源气体和氢气，碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶；(2)在800℃～1100℃，800～900mbar；碳源气体的供应下，石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大，得大尺寸单晶石墨烯；(3)生长结束后，通入氩气，降温，即得。本发明不依赖于金属衬底，无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移，可以直接应用到微电子器件。
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公开(公告)号：CN106521618A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610975636.7
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气，降温至1400～1500℃，保温；氩气氛围降温至800℃～1100℃，将微细导热探针放在SiC衬底上，形成局部过冷点；通入碳源气体和氢气，碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶；(2)在800℃～1100℃，800～900mbar；碳源气体的供应下，石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大，得大尺寸单晶石墨烯；(3)生长结束后，通入氩气，降温，即得。本发明不依赖于金属衬底，无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移，可以直接应用到微电子器件。
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公开(公告)号：CN106637393B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106946948B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710230593.4
申请日：2017-04-11
申请人： 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明属于植物保护技术领域，具体涉及一种有机金属配合物晶体的制备方法与用途，本发明以2,2'‑双(邻氯苯基)‑4,4',5,5'‑四苯基‑1,2'‑双咪唑、甘氨酸和乙酰丙酮金属盐为主要原料制备出有机金属配合物晶体，所述有机金属配合物晶体具有防治农作物病害的作用，尤其是用于防治番茄灰霉病菌、烟草炭疽病菌、棉花枯萎病菌、苹果轮纹病菌、玉米小班病菌。
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公开(公告)号：CN106893012A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710250136.1
申请日：2017-04-17
申请人： 山东本源晶体科技有限公司
CPC分类号： C08F114/06 , C08F2/20 , C08F2/44 , C08K3/08 , C08K7/24 , C08K9/04 , C08K9/12 , C08K2003/0806 , C08K2201/003 , C08K2201/011
摘要： 本发明属于高分子材料领域，具体涉及一种纳米银改性石墨烯晶体复合材料及其制备方法，由纳米银负载于改性石墨烯晶体上，之后与氯乙烯单体经过聚合反应制备得到。纳米银改性石墨烯晶体复合材料力学性能保持不变或稍有增强，抗菌性能有较大的提高。且在制备过程中，石墨烯与纳米银均匀结合，与聚氯乙烯的交联均匀，不会产生团聚现象，材料均一性好。
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公开(公告)号：CN106832825B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710187497.6
申请日：2017-03-27
申请人： 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C08L67/02 , C08L31/04 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08F218/08 , C08F222/06 , C08G63/692
摘要： 本发明公开了一种掺杂缩合阻燃石墨烯聚合物材料的制备方法，本发明加入的石墨烯可以在聚合物基体表面形成一层致密的保护炭层，该炭层可以隔绝热量、气体，使得热分解产生的可燃性气体不再参与燃烧，从而提高了成品的阻燃性能，本发明还引入了四羟甲基氯化磷来改性聚酯单体，四羟甲基氯化磷为一种有机阻燃添加剂，进一步提高了成品的阻燃性能。
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公开(公告)号：CN106882867B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710198755.0
申请日：2017-03-29
申请人： 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C02F1/72 , C02F1/44 , C02F101/10 , C02F101/16
摘要： 本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种改性石墨烯催化氧化处理福美双废水的方法。本发明采取氯化锰、钨酸钠对石墨烯进行改性得纳米级改性石墨烯，然后将改性后的纳米级石墨烯作为催化剂用于催化氧化处理福美双生产废水，可有效降低废水中的氨氮含量；催化剂可回收套用，并且可以通过简单的高温煅烧进行活化。
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