本发明涉及一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法。该方法包括：将6H/4H‑SiC晶片硅面和碳面进行抛光、清洗，将加工好的6H/4H‑SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托架上，碳面朝下；升温至1200‑1300℃，通氩气和氢气，然后升温至1400‑1450℃，保温10‑15min；关闭氢气，继续通氩气，并通入含硅气体，升温至1500‑1600℃，保温10‑30min，完成双面石墨烯的生长；继续通氩气，压力控制在800‑900mbar，降温至800‑900℃；关闭气源。本发明的生长方法使得SiC外表面均覆盖石墨烯，导热性能增加，有利于器件稳定工作；可用于制作传感器或电容器的材料。