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公开(公告)号：CN114280003B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202111508349.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 山东大学
IPC: G01N21/39
Abstract: 本发明公开了一种基于一次谐波积分处理的气体分子数密度检测方法，属于光纤气体传感技术领域。包括可调谐半导体激光器、光源控制模块、信号发生模块、信号探测模块、移相器、锁相放大器、气室等。该方法基于波长调制光谱技术，利用对锁相放大器输出一次谐波的X轴分量信号进行积分处理，建立了一次谐波的X轴分量信号积分值与待测气体的分子数密度之间的关系，通过本方法可以直接反演出待测气体的分子数密度，消除了基线拟合误差以及线型函数拟合误差等对气体检测的干扰，提高了检测精度，具有十分重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN115781946B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211507374.3
申请日：2022-11-29
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用。本发明提供了一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型，切型为YXl/θ，200°≤θ≤250°。本发明针对铌酸锂晶体纵向伸缩振动模式d22，设计了适用于宽温域范围内压电性能优异且温度稳定性高的切型；对于同成分铌酸锂晶体，在室温至600℃范围内，有效压电常数d’22的绝对值大于23pC/N，d’22随温度的变化率均小于17％；对于近化学计量比铌酸锂晶体，在室温至700℃范围内，该切型有效压电常数d’22的绝对值均大于24pC/N，d’22随温度的变化率均小于16％，表明本发明的铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型适合高温压电传感器件的研制。
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公开(公告)号：CN117661121A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311599203.2
申请日：2023-11-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸铋晶体压电切型及其应用，本发明提供的硅酸铋晶体压电切型具有高压电活性和低串扰响应的优势，同时具有良好的温度稳定性，在25～650℃温度范围内实现了稳定的信号输出，有利于提高压电传感器件的灵敏度和服役温度，在压电传感技术领域具有明朗的应用前景。本发明提供的硅酸铋晶体压电切型的加工方法简单，特别是厚度切变振动模态晶体切型，只需绕Y轴或Z轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
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公开(公告)号：CN108768310B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201811063312.1
申请日：2018-09-12
Abstract: 本发明公开了一种用于压电传感器的低噪声电荷放大器及其实现方法，属于电荷‑电压信号调理领域，本发明要解决的技术问题为如何采集放大压电晶体传感器产生的微弱电荷信号，采用的技术方案为：其结构包括机壳，机壳内设置有电荷到电压转换模块电压信号调理模块、低通滤波模块、输出缓冲模块和内部低噪声电源调理模块，电荷到电压转换模块的输出端与电压信号调理模块连接，电压信号调理模块的输出端与低通滤波模块连接，低通滤波模块的输出经过输出缓冲模块送到输出端口；内部低噪声电源调理模块分别连接电荷到电压转换模块、电压信号调理模块、低通滤波模块和输出缓冲模块为其供电。本发明还公开了用于压电传感器的低噪声电荷放大器的实现方法。
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公开(公告)号：CN116847711A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310706273.7
申请日：2023-06-14
Applicant: 山东大学 , 山东新港电子科技有限公司
IPC: H10N30/853 , H10N30/30 , G01H11/08
Abstract: 本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用。所述三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型选自以下任意一种：厚度方向为X，长度方向为Y的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动θ角度获得的(XYw/θ)切型，42°≤|θ|≤34°；厚度方向为X，长度方向为Z的晶片，以长度l方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动α角度获得(XZl/α)切型，30°≤|α|≤33°；厚度方向为Y，长度方向为X的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动β角度获得的(YXw/β)切型，33°≤|β|≤60°。本发明根据BIBO晶体的对称性，通过对压电元件的切型角度设计，得到了BIBO压电晶体热膨胀系数与高温合金热膨胀系数相匹配的切型，满足高温压力传感器开发要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115655443A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211164563.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于超灵敏声波检测领域，提供了一种法布里珀罗干涉与压电效应协同增强的声波探测器及系统，该共振传感器包括了双面镀电极的压电薄膜、陶瓷插芯、电荷放大器、激光光源、单模光纤、环形器、光电探测器、数据采集卡和上位机，通过调整压电薄膜的尺寸，使其工作在一阶共振模式下，压电薄膜形变产生的电荷经电荷放大器放大后输入到数据采集卡，另外激光束经过环形器照射到膜片上，产生反射光耦合到环形器，并传送到光电探测器，再由数据采集卡获取信号，获取的两路信号在上位机通过运算实现增强。本发明基于薄膜共振、压电以及法布里珀罗干涉的原理实现对声波的超灵敏检测，该传感器可应用于不同频率微弱声波信号的检测。
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公开(公告)号：CN113981542A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111288448.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体压强为低压，进行二维材料的形核与初步横向生长；之后，将腔体压强调高至常压进行快速生长，再将腔体压强调低，稳定生长；最后，在载流气体氛围下降温，得到具有规则形貌的大尺寸单晶畴二维材料。通过在生长阶段调节腔体压强，改善CVD系统中的组分运输，加强物质间的相互作用，进而获得高质量、大尺寸单晶畴二维材料。
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公开(公告)号：CN113321500A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110741279.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 山东大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本公开提供了一种高居里温度压电陶瓷及其制备方法，高居里温度压电陶瓷的通式为Bi3Ti1‑xCrxTaO9，其中0
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公开(公告)号：CN109338473B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811197979.0
申请日：2018-10-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种硅酸钛钡压电晶体切型，所述的硅酸钛钡压电晶体切型为任意沿偏离Z轴θ角切割即可获得具有较高压电常数和线性的热膨胀系数的切型，记为(θ，ψ)，其中45°≤θ≤50°，‑180°≤ψ≤180°。该切型在室温到500℃范围内，线性热膨胀系数为8.0‑8.2ppm/℃，有效压电常数d*33为>8.5pC/N且在室温到500℃范围变化率低于13％。本发明不仅克服了硅酸钛钡晶体应用中热膨胀的不匹配问题，而且提高了压电性能的温度稳定性，特别适合研制成宽温度范围内使用的压电传感器件。
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