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公开(公告)号：CN110079861A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910517507.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用。磷酸钇锶晶体的化学式为Sr3Y(PO4)3，该晶体为非中心对称结构，属于立方晶系-43m点群。所述的磷酸钇锶晶体的制备方法，包括：合成磷酸钇锶多晶料，升温熔化得到熔化均匀的磷酸钇锶熔液；采用铱金棒或磷酸钇锶晶体作为籽晶，使所述籽晶底端与所述磷酸钇锶熔液刚好接触，采用提拉法进行单晶生长，单晶生长温度1700-1850℃。所述磷酸钇锶晶体熔点高于1800℃，且从室温到熔点无相变，化学性质稳定，不潮解，因此在高温压电和宽温区非线性光学领域具有明显应用优势。
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公开(公告)号：CN113981542A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111288448.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体压强为低压，进行二维材料的形核与初步横向生长；之后，将腔体压强调高至常压进行快速生长，再将腔体压强调低，稳定生长；最后，在载流气体氛围下降温，得到具有规则形貌的大尺寸单晶畴二维材料。通过在生长阶段调节腔体压强，改善CVD系统中的组分运输，加强物质间的相互作用，进而获得高质量、大尺寸单晶畴二维材料。
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公开(公告)号：CN106768289B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611236683.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC: G01H11/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , H01L41/053
Abstract: 本发明涉及一种高温压电振动传感器，包括：底座；外壳，底座上连接外壳，形成压电振动传感器的密封内腔；固定在底座上的陶瓷棒；依次套放在陶瓷棒上的多片压电晶片、金属块、绝缘片、穿有高温引线的预紧件；两路电极线，放置在压电晶片之间；压电晶片为(XYw/45°)切YGdCOB晶片。(XYw/45°)切YGdCOB晶片的有效压电常数为～5pC/N，室温到1000℃范围，压电常数变化率低于5％，加工平整度误差小于0.02mm，具有特别优异的高温压电性能及温度稳定性，使得压电振动传感器耐高温高达600℃以上。
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公开(公告)号：CN113564699B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110808614.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法，该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后，在表面制备出一层薄Cu2O介质层，再以Cu2O介质层为基底进行生长石墨烯，使石墨烯生长机制由边缘附着限制变为扩散限制，可显著降低石墨烯的成核密度，同时相对于纯铜箔来说，Cu2O介质层能够减少碳原子的亚表面吸附，有效阻止第二层石墨烯的成核生长，保证单层单晶石墨烯生长。本发明的方法有效减少了铜箔晶界的数量，同时使其变为统一(111)晶面，平坦少晶界的铜箔表面为石墨烯的生长提供了良好的生长环境，同时Cu2O介质层可以降低石墨烯成核密度，加快其生长速度，同时显著抑制石墨烯第二层成核，便于大尺寸单层单晶石墨烯生长。
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公开(公告)号：CN113737277B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202111037976.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法。所述方法为：采用载气A和载气B混合作为载流气体，先通过设定载气A和载气B的比例构造出近平微凸温场，再调整二者的比例构造出平温场，经过化学气相沉积获得大尺寸单晶二维材料；所述载气A为惰性气体，载气B为与载气A热导率不同的气体。本发明通过在反应室内引入不参加二维材料化学反应生成、且热导率不同的气体，在加强物质间相互作用的同时，有效对反应腔内的温场进行调控，设计并实现了在二维材料生长区域内凸温场向平温场的转变，充分提供温度驱动力，进而促进二维材料核的横向长大，最终获得高质量的大尺寸单晶二维材料。
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公开(公告)号：CN113737277A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111037976.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法。所述方法为：采用载气A和载气B混合作为载流气体，先通过设定载气A和载气B的比例构造出近平微凸温场，再调整二者的比例构造出平温场，经过化学气相沉积获得大尺寸单晶二维材料；所述载气A为惰性气体，载气B为与载气A热导率不同的气体。本发明通过在反应室内引入不参加二维材料化学反应生成、且热导率不同的气体，在加强物质间相互作用的同时，有效对反应腔内的温场进行调控，设计并实现了在二维材料生长区域内凸温场向平温场的转变，充分提供温度驱动力，进而促进二维材料核的横向长大，最终获得高质量的大尺寸单晶二维材料。
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公开(公告)号：CN110556283B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810538500.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法。包括步骤：将SiC衬底进行氢刻蚀，然后对氢刻蚀之后的SiC衬底进行氧化处理，温度800～1300℃，处理时间15～120min；然后于惰性气氛下，在预处理后的SiC衬底上升温至1450～1700℃进行石墨烯生长。本发明通过氧化预处理以钝化SiC表面，降低了SiC衬底外延生长石墨烯的成核密度，从而获得尺寸更大、性能更好的石墨烯材料，并在此基础上将SiC外延石墨烯晶片进行淀积、光刻、掺杂和集成程序，制备成相应的石墨烯器件。
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公开(公告)号：CN110556283A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810538500.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法。包括步骤：将SiC衬底进行氢刻蚀，然后对氢刻蚀之后的SiC衬底进行氧化处理，温度800～1300℃，处理时间15～120min；然后于惰性气氛下，在预处理后的SiC衬底上升温至1450～1700℃进行石墨烯生长。本发明通过氧化预处理以钝化SiC表面，降低了SiC衬底外延生长石墨烯的成核密度，从而获得尺寸更大、性能更好的石墨烯材料，并在此基础上将SiC外延石墨烯晶片进行淀积、光刻、掺杂和集成程序，制备成相应的石墨烯器件。
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公开(公告)号：CN116022777B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310071729.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 山东大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用。本发明首先通过控制工艺选择性制备具有不同指数面的金属衬底，并以此为衬底经过化学气相沉积生长石墨烯薄膜，生长完成后进行后处理，通过调控后处理的反应温度和时间，在石墨烯与金属衬底界面处发生反应，于界面处形成钝化层，从而直接削弱石墨烯与金属衬底之间的强相互作用，实现石墨烯在金属衬底上的解耦，得到易剥离近自由态石墨烯。本发明通过设计并调整生长工艺和后处理过程，在不引入其他杂质的前提下，显著降低了石墨烯与衬底之间的相互作用，直接制备得到易剥离近自由态石墨烯，剥离转移后的石墨烯能够广泛应用在半导体电子器件及能源转化领域。
