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    染料敏化太阳能电池及其ZnO复合光阳极制备方法
    2.
    发明公开
    染料敏化太阳能电池及其ZnO复合光阳极制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103730260A

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：CN201310744444.1

    申请日：2013-12-30

    申请人： 深圳大学

    发明人： 柳文军 ,  韩舜 ,  唐丽 ,  贾芳 ,  曹培江 ,  朱德亮 ,  马晓翠 ,  吕有明

    IPC分类号： H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： Y02E10/542 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池ZnO复合光阳极的制备方法，即先在导电基底上生长出ZnO纳米线阵列，然后在纳米线之间的空隙中原位生长填充ZnO纳米颗粒。该制备方法提高了ZnO复合光阳极的比表面积，从而显著提高光电极的光电转换效率；同时，该纳米线垂直于基底定向生长，可提高电子传输速率。另外，该制备方法操作简单，无需烧结，且在ZnO纳米线阵列的空隙中生长纳米颗粒的反应时间短，降低成本，有利于此光阳极的工业化生产。而包括该ZnO复合光阳极的染料敏化太阳能电池也由于其光阳极具有上述诸多优点，使得其在太阳能电池领域中可广泛应用。

    一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法
    3.
    发明公开
    一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103205706A

    公开(公告)日：2013-07-17

    申请号：CN201310073945.1

    申请日：2013-03-08

    申请人： 深圳大学

    发明人： 韩舜 ,  吕有明 ,  朱德亮 ,  曹培江 ,  马晓翠 ,  柳文军 ,  贾芳 ,  邵玉坤

    IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28

    摘要： 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：制备Mg0.5Zn0.5O靶材；将衬底放入腔体中，加热所述衬底至400℃～500℃，通入流量为10sccm～70sccm的氧气，使腔体压强在4～8Pa，然后采用所述Mg0.5Zn0.5O靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，获得所述立方结构MgZnO薄膜。该方法利用不同生长条件下沉积原子迁移能的不同，可以有效控制立方结构MgZnO薄膜的生长取向，为制备不同取向高质量立方结构MgZnO多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。

    紫外探测器及其制备方法
    4.
    发明授权
    紫外探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112071949B

    公开(公告)日：2022-10-11

    申请号：CN202010771531.6

    申请日：2020-08-04

    申请人： 深圳大学

    发明人： 曹培江 ,  王庆 ,  栾迪 ,  吕有明 ,  朱德亮 ,  柳文军 ,  韩舜 ,  刘新科 ,  许望颖 ,  方明 ,  曾玉祥

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0296 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

    摘要： 本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。

    氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件
    5.
    发明公开
    氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件 有权

    公开(公告)号：CN112111711A

    公开(公告)日：2020-12-22

    申请号：CN202010868714.X

    申请日：2020-08-25

    申请人： 深圳大学

    发明人： 吕有明 ,  荣曦明 ,  伍锦捷 ,  韩舜 ,  曹培江 ,  朱德亮 ,  柳文军 ,  刘新科 ,  许望颖 ,  方明

    IPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  C01G15/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

    摘要： 本申请涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件。本申请所提供的制备方法包括：提供基底和氧化镓靶材，并固定于可抽真空的腔体中；向腔体中通入氧气和惰性气体，氧气的通入速度为1～10sccm，惰性气体的通入速度为3～30sccm，并保持腔体的压强为0.11～2.0Pa，然后开启脉冲激光器进行脉冲激光沉积，形成氧化镓纳米棒。该法利用脉冲激光沉积技术，并通过控制腔体中氧气的相对含量以及控制腔体的压强为0.11～2.0Pa，实现了氧化镓纳米结构的自催化以及结晶形貌的调制，成功制备了高质量的氧化镓纳米棒。与现有技术相比，既无需采用贵金属来催化反应，也无需引入异质晶种层，方法简单优化，操作可控，可实现氧化镓纳米棒的规模化生产。

    紫外探测器及其制备方法
    6.
    发明公开
    紫外探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112071949A

    公开(公告)日：2020-12-11

    申请号：CN202010771531.6

    申请日：2020-08-04

    申请人： 深圳大学

    发明人： 曹培江 ,  王庆 ,  栾迪 ,  吕有明 ,  朱德亮 ,  柳文军 ,  韩舜 ,  刘新科 ,  许望颖 ,  方明 ,  曾玉祥

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0296 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

    摘要： 本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。

    钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    8.
    发明公开
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN107845729A

    公开(公告)日：2018-03-27

    申请号：CN201711039626.3

    申请日：2017-10-30

    申请人： 深圳大学

    发明人： 柳文军 ,  曹培江 ,  刘新科 ,  韩舜 ,  许望颖 ,  朱德亮 ,  吕有明

    IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48

    摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池导电基底、和形成于所述导电基底上的电子传输层；所述电子传输层是由含有ZnO和乙酰丙酮锌的膜层于不高于150℃退火处理形成。本发明钙钛矿太阳能电池的电子传输层所含的乙酰丙酮锌能够使得电子传输层致密，降低针孔的形成和分布，内阻小；乙酰丙酮锌还能有效填充ZnO纳米颗粒之间的空隙。同时乙酰丙酮锌还能起到表面修饰作用，可以提高钙钛矿在ZnO电子传输层上的热稳定性。本发明钙钛矿太阳能电池制备方法能够有效保证形成的含有ZnO和乙酰丙酮锌的膜层质量稳定。