一种p型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113889563B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111081747.0

    申请日:2021-09-15

    摘要: 本发明公开了一种p型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括如下步骤:(1)将原料Bi、Te和Sb按BixSb2‑xTe3,0.4≤x≤0.7配料加入玻璃管中抽真空;(2)将玻璃管放入摇摆炉中熔炼,然后将玻璃管取出竖直放置冷却,得到碲化铋基合金锭;(3)将碲化铋基合金锭放入气雾化设备中,将雾化室抽真空后通入雾化气体洗炉;(4)升温熔炼,待碲化铋基合金锭完全熔化成熔体,保温精炼至雾化温度,将喷嘴加热,启动雾化气体,达到气雾化压力时,开始进行雾化;(5)雾化结束后,冷却至室温得到所述p型碲化铋基热电材料。通过本发明所述方法制备的p型碲化铋基热电材料粒径小于10μm、球形度好可用于3D打印的碲化铋基热电材料,无需经过筛分,材料利用率高。

    硒化铅的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118771316A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411048251.7

    申请日:2024-08-01

    IPC分类号: C01B19/04

    摘要: 本发明提供硒化铅的制备方法,包括:S1、将硒粉与铅粉混合,于炉体中进行烧结得到硒化铅;所述烧结过程中持续向炉体中通入保护性气体并持续排气确保炉体内为保护性气氛;S2、将硒化铅在保护性气氛下升温至1180~1250℃保温,降温,得到低氧硒化铅;所述保护性气氛的气体压力为2.5~3Mpa。上述制备方法工艺流程短、所需时间短、效率高、成本低,可大规模制备低氧硒化铅,具有良好的工业化应用前景;上述制备方法所制备的低氧硒化铅材料的氧和游离硒含量低。

    高纯钨酸铅粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN114715941B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202210562479.2

    申请日:2022-05-23

    IPC分类号: C01G41/00

    摘要: 本发明属于化工材料技术领域,公开了一种高纯钨酸铅粉体的制备方法。所述方法选用分析纯级钨酸铵和分析纯级硝酸铅作为原料,将硝酸铅溶液以一定的速率滴入钨酸铵溶液中进行化学反应,然后陈化、氨水处理、洗涤反应产物,得到纯度为4N以上的高纯钨酸铅粉体。制备过程简单可控,便于大规模生产。

    一种纯钒的金相显示方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117723362A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311731053.6

    申请日:2023-12-15

    IPC分类号: G01N1/28 G01N1/32 G01N21/84

    摘要: 本发明公开了一种纯钒的金相显示方法,属于金相检测技术领域,所述的纯钒的金相显示方法,包括以下步骤:(1)使用水刀或线切割对纯钒进行切割,得到样品;(2)将样品进行粗磨、精磨;(3)将样品用抛光机进行抛光,清洗,干燥;(4)将样品置于稀硝酸溶液中进行腐蚀,清洗,烘干,得到金相试样;(5)将金相试样置于金相显微镜中观察,拍摄金相照片,并标记晶粒,统计晶粒尺寸。本发明对纯钒进行粗磨,精磨,抛光,再采用稀硝酸作为腐蚀液进行腐蚀,能够完美展示V金相组织,金相晶界清晰,能够有效的避免产生变形层和模糊层,具有广泛的应用前景。

    一种铝钪靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN115433911B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202211219219.1

    申请日:2022-09-30

    摘要: 本发明公开了一种铝钪靶材及其制备方法,属于靶材制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:先将钪和铝混合用真空感应磁悬浮熔炼得到中间合金01,随后将中间合金01与铝混合真空感应熔炼得到中间合金02,接着通过真空感应磁悬浮熔炼将中间合金02快速浇铸成型,最后锻造轧制,得铝钪靶材。本发明提供的制备方法中结合真空感应磁悬浮熔炼和真空感应熔炼,达到了高效、简单、低成本的合成铝钪靶材的目的,尤其是合成低钪含量的铝钪靶材的目的;本发明提供的技术方案相较于单纯使用真空感应磁悬浮熔炼大大提升了熔炼效率,降低了熔炼成本,也保证了熔炼制备得到的产品的纯度,氧含量和组分均匀度;从而能够有效的应用于铝钪靶材的制备上。

    一种碲靶及其制备方法与应用
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117361450A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311193233.3

    申请日:2023-09-15

    IPC分类号: C01B19/02 C23C14/34

    摘要: 本公开提供一种碲靶及其制备方法与应用,属于靶材制备的技术领域。本公开碲靶的制备方法,包括以下步骤:S1:将含有碲块的模具装入坩埚中,进行真空密封,所得坩埚置于垂直加热炉中;S2:然后加热至600‑700℃,保温30‑90min;S3:保温结束后,坩埚以5‑10r/min旋转速度并以0.05‑0.5mm/min的降温速率降温至室温,即得碲靶。本公开通过控制保温的温度、时间、旋转速度和降温速率获得了致密度高的碲靶,提高了碲靶的导电性、导热性以及强度。

    大尺寸、细晶粒的CoZrTa合金靶坯的制备方法

    公开(公告)号:CN117259476A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311192639.X

    申请日:2023-09-15

    摘要: 本发明属于合金靶坯制备技术领域,公开了一种大尺寸、细晶粒的CoZrTa合金靶坯的制备方法,包括以下步骤:(1)真空熔炼Co、Zr、Ta原料,浇铸,得到毛坯;(2)将毛坯进行挤压成型;(3)挤压成型后,毛坯自然冷却至室温;(4)热轧、矫平毛坯;(5)将毛坯冷却至室温;(6)对毛坯进行表面加工,得到靶坯。本发明提供的制备方法可以制备得到大尺寸、细晶粒的CoZrTa靶坯,可进一步满足半导体行业的要求,且通过简单的工艺解决了制备大尺寸靶坯的难题,推动了行业进步。

    一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN115233168B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202210677383.0

    申请日:2022-06-15

    IPC分类号: C23C14/34 C23F1/20

    摘要: 本发明公开了一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法,属于靶材技术领域,环形高钪铝钪合金靶材的制备方法,包括以下步骤:(1)将铝钪靶材用胶带保护;(2)将靶材准备腐蚀穿孔的位置的胶带去除,露出需要穿孔的圆形靶材表面,将腐蚀容器垂直于圆形靶材表面,并固定,将圆形靶材表面的背面与腐蚀容器对应的位置的胶带去除,并将背面露出部分与胶带的接触处密封;(3)将靶材放置于容器中,冰水混合物没过靶材,将酸液加入到腐蚀容器中,隔0.5~2小时将酸液吸出,用水清洗腐蚀位置并吸出,再加入酸液,重复操作,直至靶材腐蚀穿孔。本发明用酸液对靶材进行定向腐蚀,能够制备出完整性好、不存在碎裂风险的环形高钪铝钪合金靶材。

    一种氧化锌靶材及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117049869A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311012658.X

    申请日:2023-08-11

    发明人: 余芳 朱刘 童培云

    IPC分类号: C04B35/453

    摘要: 本发明涉及靶材生产技术领域,公开了一种氧化锌靶材的制备方法,该方法通过将粒径为1~3微米的小颗粒氧化锌与粒径为3~5微米的大颗粒氧化锌按1.5~4:1的质量比混合,得到混合后的氧化锌物料;再将混合后的氧化锌物料真空热压,得到热压毛坯;最后将热压毛坯烧结,得到氧化锌靶材,由该制备方法制得的氧化锌靶材,不仅具有较高的相对密度,同时在制备过程中,通过对各项参数的调整,我们惊喜地发现当各参数为一特定值时,对相对密度的提升最为明显。

    一种锌镁靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN113862619B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202111050306.4

    申请日:2021-09-08

    IPC分类号: C23C14/34 B23P15/00

    摘要: 本发明涉及靶材技术领域,公开了一种锌镁靶材及其制备方法,其中,其制备方法包括以下步骤:将单质锌与单质镁投入真空熔炼炉内熔炼,融化后充分搅拌并保温,得到混合熔炼液;将混合熔炼液进行浇注,形成锌镁合金压料;将锌镁合金压料加热,加热后通过一号模具进行挤压,得到第一挤压料;依次采用二号模具、三号模具、···、N号模具进行挤压,得到靶材毛胚;对靶材毛坯进行机加工,得到锌镁靶材。采用本发明的制备方法制作的锌镁靶材,其内部物缺陷,致密度较高,平均晶粒小于200微米,采用此锌镁靶材进行溅射,均匀并细小的晶粒不仅有助于获得膜厚均匀统一的薄膜功能层,且可避免溅射过程中发生放电及点火现象。